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[参考译文] LM5146:低侧 MOSFET 在重负载下会发烫

Guru**** 2552050 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1227642/lm5146-lowside-mosfets-are-hot-under-heavy-loads

器件型号:LM5146

嗨、团队,

   我的电路原理图如下所示。 我发现低侧 MOSFET 在重负荷模式下发热严重、并分别测量了 LO 输出波形。

  

  ℃、当输出电压为1.35V、负载电流为0.85A 时、Q3的温度为46 μ V、LO 的输出波形测量如下、可以看出 Q3的开放时间不一致、这是不合理的

℃、我将输出电压调节到1.45V、负载电流调节到3.8A、Q3的温度在10秒内上升到100 μ A。 此时、LO 输出波形的测量如下图所示、结果发现低侧 MOSFET 的开通时间更长。

我在分别替换了 LM5146时看到了高侧和低侧 MOSFET。 在重负荷下,第三季度仍存在严重发热。 请帮我分析原因。

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    尊敬的 Suy:

    我不确定您的 comp 值在1mF 电容下是否稳定。  

    它的 ESR 是什么?

    稳定性取决于输出电容、ESR 和补偿值。

    使用快速入门计算器提高 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 的稳定性 

    还要确保低侧 FET 周围的布局能够散热。  

    即 GND 多边形需要连接到一个较大的铜区域、然后散热过孔也会有所帮助。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多

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    尊敬的 Murray:

     我的 PCB 板现在没有粘贴1mf 电容。补偿值通过 lm5146快速启动计算得出。

    与上一版本的 PCB 相比、该布局基本没有变化、但上一版本的 PCB 在重负载下的热量仅为60摄氏度左右。

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    尊敬的 Suy:

    请附上您使用的快速入门计算器。

    您以前的布局是否也使用了这些 FET?

    -奥兰多

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    您好、奥兰多!

      这是使用的快速启动、这是使用的快速启动、与之前设计中使用的参数相同。

    e2e.ti.com/.../LM5146_2D00_Q1-Quickstart-Tool-r2-_2D00_-12Vin-1.65Vout-10A-320kHz.xlsm

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    您好、Suy、您的薪酬看起来不错。

    VCC_LD 节点下游是否有额外的电容? 务必使用计算该节点上的有效电容和 ESR 总值。

    您没有降低电容的额定值、但我想在1.65V 时它可能不会降低太多

    布局如何? COMP 和 FB 元件是否靠近 IC 引脚? 您能否分享此位置?

    -奥兰多

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    您好、奥兰多!

      在无额外电容的情况下、总输出电容为24uf。
      附件是布局文件。

    e2e.ti.com/.../1651.top.pdfe2e.ti.com/.../5807.bot.pdf

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    您好、奥兰多!   

      今天的℃我发现、在通电后、MOSFET 仅在大约10秒内发热、温度上升到110 μ s、此时、直流电源‘s 总输入功率为14W (负载电流为8A)、 然后 MOSFET 温度开始下降并稳定在大约75℃、直流电源的总输入功率为9W。 换言之、MOSFET 过热是由5W 的功耗引起的、这种现象通过调整软启动时间仍然存在。

      ℃、使用风扇来冷却 MOSFET 时、发现 MOSFET 的温度低于70 μ C、温度开始上升。 同时、直流电源的输入电流也会增大、重复之前的现象。

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    尊敬的 Suy:

    接地平面上似乎没有太多铜连接到低侧 FET、接地平面铜很重要、因为它还充当导热体、从低侧 FET 吸收热量。 您以前的设计中是否有更多的 GND 铜?

    尽管开关波形看起来不稳定、但频率应保持稳定、占空比应保持一致。  

    您是否在未连接 VCC LD 的情况下尝试过此操作? 我不确定这是否会干扰 COMP 环路。

    实际上、您的 RILIM 电阻器看起来过大。 基于低侧 FET 的1.19mΩ Ω RDSON、您应该有一个 63Ω Ω 的较小 RILIM 电阻器。

    这 可能是稳定性问题。

    关于布局:

    • 下 FB 电阻器 RFBB 应该连接到同一层的 AGND、不清楚为什么要在那里使用两个单独的通孔。
    • 我认为 AGND 最好在 DAP 下方的单点连接到 GND、然后在其他地方连接到 GND。
    • HO 和 LO 布线应厚度为20mil。 最好使用较短的布线、例如靠近 IC 的 FET、以便具有最小的栅极电阻。
    • 尝试使用 CLIM 电容器来降低 ILIM 引脚上的噪声。 请参阅快速入门原理图。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多

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    您好、奥兰多!   

      在我 之前的设计中、连接到低侧 FET 的 GND 平面覆铜与现在的类似。附加的是 之前设计的布局。

       e2e.ti.com/.../3872.top.pdf

       当输出未连接至负载时、低侧 MOSFET 不是很热、但 FB 电压变为1.2V。 对于 RILIM 电阻、电阻值没有63欧姆的变化。

       修改。 COMP 网络的参数在之前的设计和当前的设计之间是不同的。 以前的 PCB 板的所有元件都替换为当前设计中使用的元件、并且负载(负载电流7A)不会出现过热。 所以我仍然不明白为什么。
    至于你们的布局建议、我会在下一个版本的设计中落实

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    尊敬的 Suy:  

    我仍不确定问题的根本原因、但 FB 节点应该知道 不会 为1.2V、则应为0.8V、从而稳压至 VREF。

    您能否展示空载条件下的 SW 节点波形、以及不稳定条件下 SW 节点处的 SW 节点波形?

    如果您能够在输出电感器上使用电流环路和电流探头、这将是 有用的信息。

    请告诉我、

    -奥兰多

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    您好、奥兰多!   

      我发现低侧 MOSFET 的驱动信号在空载时无法测量、但尽管输出电压错误(Vref 为1.2V)、但 VCC_LD 确实有输出电压;
    连接负载后、Vref 为0.8V、并且 VCC_LD 输出为正确设置的电压。 启动时、低侧 MOSFET 加热测量电网的驱动信号如下图所示


    超过10秒后、当 MOSFET 发热正常时、再次测量电网驱动信号、如下图所示

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    尊敬的 Suy:

    第二个波形看起来正常。

    第一个波形异常。  

    我假设 您的意思是 VFB 为1.2V? 无法测量 VREF、因为它是内部的。  

    当 VFB 为1.2V 时、输出电压是否超过正常的1.65V?  

    启动时是否存在过冲? 您能否测量 VOUT 启动波形?

    -奥兰多

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    您好、奥兰多!   

      是的、对于同一组 RFB1/RFB2、当无负载时 Vref 为1.2V、输出电压为2.48V、带负载时输出电压为1.65V。

      下图显示了输出电压 Vout 的启动波形、其中图1是空载波形、图2是负载启动框。