嗨、团队,
我的电路原理图如下所示。 我发现低侧 MOSFET 在重负荷模式下发热严重、并分别测量了 LO 输出波形。

℃、当输出电压为1.35V、负载电流为0.85A 时、Q3的温度为46 μ V、LO 的输出波形测量如下、可以看出 Q3的开放时间不一致、这是不合理的

℃、我将输出电压调节到1.45V、负载电流调节到3.8A、Q3的温度在10秒内上升到100 μ A。 此时、LO 输出波形的测量如下图所示、结果发现低侧 MOSFET 的开通时间更长。

我在分别替换了 LM5146时看到了高侧和低侧 MOSFET。 在重负荷下,第三季度仍存在严重发热。 请帮我分析原因。



