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[参考译文] LMG3422R030:LMG3422R030

Guru**** 1729330 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3422R030
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1229822/lmg3422r030-lmg3422r030

器件型号:LMG3422R030

大家好、我想向大家介绍 LMG3422R030 器件的功率损耗情况。

我知道 GaN HEMT 和 SiFET 在 LMG3422R030内串联。

如果开关打开、则电流从漏极流向源极。

不过、参考数据表、未指定 SiFET 的电阻或电气特性。

在器件运行导致的损耗中、我能否判断 Si FET 的影响很小?

如果您能告诉我为什么您不需要考虑它,如果它是正确的,我会很感激。

 

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    您好、Lee、

    数据表中列出的 Rdson 包括封装、GaN FET 和 Si FET 电阻。 串联 Si FET 电阻仅占总 Rdson 的一小部分。 因此、通过使用数据表中的 Rdson、这将包括串联 Si FET 的损耗。

    此致!

    Kyle  

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    非常感谢