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[参考译文] TPS43060：高/低侧栅极上升/下降时间过长问题

admin
Guru**** 2394295 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS43060

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1230698/tps43060-high-low-side-gate-rise-fall-time-too-long-issue

器件型号：TPS43060

您好！  

我正在使用 tps43060驱动 MOSFET BSC098N10NS5、发现低侧栅极非常热、栅极上升时间非常长(我认为应该更短)。

设计输入：19V 输入、54V1A 输出


MOSFET Qg 总计：25nC 最大值

频率：450kHz


问题是栅极上升时间大约为300ns、比我预期的要长、大约为100ns？

我认为布局有一些问题、但我不确定是什么导致了意外的上升时间？

此致、

湘南

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    TI__Guru**** 2394295 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的、我不希望有人可以帮助调试我的问题。 我只是希望有人可以帮助解释上升时间应该是多少。

    此致、

    湘南

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    TI__Guru**** 2394295 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Xiangnan、

    感谢您使用 e2e 论坛。

    我同意散热问题可能与布局有关。
    从功率级来看、电感器似乎离两个开关 FET 很远。
    这可能会产生强噪声和寄生效应。

    功率级设计应尽可能紧凑。
    TPS43060数据表有一个指定布局指南的部分。 请按照以下步骤进行改进布局设计。

    此致、
    Niklas

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    TI__Guru**** 2394295 points
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    您好、Niklas、

    非常感谢你的 sugestion。

    我正在根据指南改进布局。

    只是想知道栅极电压的上升时间是否存在问题、 我担心上升时间过长会增加开关损耗并导致 MOS 的温度过高。

    我找不到调整上升时间的方法、给出了 MOSFET 的 Qg、可以帮助检查是否正确设置了上升时间？(

    此时栅极上升330ns。)

    此致、

    湘南

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    TI__Guru**** 2394295 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Xiangnan、

    是的、我同意极慢的上升时间会增加开关损耗和 FET 发热。
    该问题可能与 FET 本身有关、因此可以尝试另一个 FET 并检查行为是否有所改善。
    另一种思路是以较低的开关频率运行。

    此致、
    Niklas