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[参考译文] LM5175：替代部件验证、

admin
Guru**** 2814315 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD17577Q3A, LM5175, CSD19502Q5B, CSD17575Q3

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1229756/lm5175-alternate-part-validation

器件型号：LM5175
主题中讨论的其他器件： CSD19502Q5B、 CSD17575Q3、CSD17577Q3A

大家好！

您能否确认此设计中可以使用由 Web Bench 建议的替代器件？  

1. MOSFET 要求导通电阻更小、我们在工作台中可以找到少量备选 FET、您能确认一下、我们可以将其纳入设计中的任何验证需求吗？

谢谢。
Sakthivel

  • 0
    TI__Guru**** 2814315 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Sakthi：

    感谢您使用 e2e 论坛。
    一般而言、webench 建议的替代器件可用于相应的应用。
    但是、我始终建议仔细检查这些器件、并查看数据表、以查看所有值是否均在规格范围内并符合应用目标。
    您还可以在 FET 制造商网站上筛选类似器件。

    我建议使用 LM5175的快速入门计算器对设计进行初始验证、因为该计算器采用的输入值比 webench 多、因此通常会显示更准确的计算。
    可从此处下载计算器：
    https://www.ti.com/tool/LM5175QUICKSTART-CALC

    我希望这可以解答您的问题并对您的设计有所帮助。

    此致、
    Niklas

  • 0
    TI__Guru**** 2814315 points
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    您好、NIKAS：

    TI 是否提供了任何指南/文档来了解 LM5175 4开关降压/升压控制器的完整工作原理？

    谢谢

  • 0
    TI__Guru**** 2814315 points
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    尊敬的 Sakthi：

    在数据表旁边、我们还有 EVM 板、这些板是测试和设计类似应用的良好参考。
    它们可能会为您提供有关设备的行为和功能的额外见解。
    https://www.ti.com/tool/LM5175EVM

    此致、
    Niklas

  • 0
    TI__Guru**** 2814315 points
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    您好、Niklas、

    感谢您的支持、

    请告诉我们、我们从工作台上选择的备选 MOSFET 器件与降压升压器件 LM5175兼容、可用于环境温度：- 60°C 且额定电流为6.5安培的环境中？

    M1、M2 -> CSD19502Q5B、

    M3 -> CSD17575Q3

    M4 -> CSD17577Q3A

    注意：这些器件已根据可用性进行选择。

    谢谢。
    Sakthivel

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    TI__Guru**** 2814315 points
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    尊敬的 Sakthi：

    感谢您的更新。
    要检查 FET 是否适合、请务必了解所有输入/输出参数。
    您能否提供：
    VIN 范围、
    VOUT、
    最大输出电流
    选择的电感器

    如果可能、请添加应用原理图、因为这样可以加快我们的审查速度。

    对于 FET、重要的是在最坏的情况下不要违反最大电压规格。

    此致、
    Niklas

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    TI__Guru**** 2814315 points
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    您好、Niklas、

    请找到所需的输入内容：

    配置1：

    输入电压范围：9至17V

    输出电压12V、

    最大输出电流：6.5A、

    所选电感器：4.7uH、

    温度：-30至60度

    电路原理图尚未完成、

    谢谢。

    Sakthivel

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    TI__Guru**** 2814315 points
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    尊敬的 Sakthi：

    感谢您提供的信息。
    从 LM5175的角度  来看、上述所有三种 FET 在给定规格下都正常、因此我认为该设计不存在任何问题。

    如果您有任何其他专门有关 FET 本身的问题、我建议您直接与我们的其中一个 MOSFET 团队联系。
    您可以通过使用相应的 FET 器件名称标签来设置新线程来获取它们。

    谢谢、此致、
    Niklas