This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ77915:BQ77915高侧开关方法

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77915
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1231331/bq77915-bq77915-high-side-switching-method

器件型号:BQ77915

您好!
在下图中、我将介绍 bq77915的高侧开关方法。 我无法完全理解 CHG 方面的 PMOS 结构。  我尝试使用 LT SPICE 进行仿真、但无法控制 PMOS。

我将使用​​应用手册中给出的 LTSpice 映像值。 通常、我会连接 V1源并驱动 Q3 MOSFET 以仿真 Chg 电压。 无论 Q3的状态如何、PMOS (Q1) 始终为导通、即使 Q3的 MOSFET 为关断也是如此。  

当 Q3关闭时、我预计 Q1会关闭。


我心里有一个问题。  

 我担心在错误条件下 PMOS 不会关闭。
BQ77915 数据表中有一个表用于显示在各种故障条件下哪个 MOSFET (DSG-CHG)已开启/关闭。  例如、在 OV、CTRC、OTC、UTC 错误条件下、 CHG MOSFET (高侧 PMOS)必须关闭。

谢谢你

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、ESO:  

    参考电路应按预期工作、这与表9-5中列出的实际故障情况无关。  

    我想问一下您使用了什么样的值、以及您是如何设置仿真的?  

    此致!  

    -Luis Torres