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器件型号：BQ4050 你好。 我对 BQ4050有几个问题：
1) 1)在 BQ4050EVM 原理图中、CHGND 是否应连接到低电平接地？ 在原理图中、低电平接地和 CHGND 分别由检测电阻隔开、一个在左侧(靠近 BAT -ve)、另一个在右侧。 我感到困惑、因为 SMBus 引脚以 CHGND 为基准、但它们仍是低电平电路的一部分。 这是否意味着 SMBus 引脚在内部隔离？ 检测电阻两侧之间是否存在可能影响通信的轻微电势差？
2) 2) 如果我使用 MCU 将数据与外部世界进行通信、我应该将其参考低电平接地或 CHGND？ 例如、当我使用智能充电器时、或者我想将数据发送到计算机时。
3) BQ4050数据表中提到了使用火花隙以防止 ESD。 如果我将火花隙放置在数据表中建议的0.2mm 处、靠近电池组+ve、 对于高压电池组、这是否会违反最小间隙规则？ 在这种情况下、我应该如何设计火花隙？ 我还要感谢其他建议。
4) 4)在文档 SLUA368中、他们提到了防止 ESD 的一种方法是使用电容器。 在图3和图4中、来自 ESD zap 的电流通过从电池组顶部和电池组底部连接到机箱的电容器流向看起来像机箱的电流。 我在之前介绍的任何参考设计中都没有遇到过这样的情况。 放置这些电容器是否是好的做法？ 如果放置了它们、机箱是否应该接地？ 比如离线电源中发生的情况。 另外、ESD 击穿导致的转移电流是如何消散的？
5) 5)如果我按照问题4中的说明使用电容器、我应该使用哪种类型的电容器？
