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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1234271/bq25720-how-to-prevent-battery-drain-through-the-body-diode-of-pmos-between-vbat-and-vsys
您好！
我正在设计一个需要运输模式的充电电路。 我的问题是、
即使/BATDRV 短接至 VSYS 且 MOSFET 关断、内部仍有体二极管、如何防止电池通过该二极管耗尽？
THX
尊敬的 Sen：
我认为电池组内有一个 DCHG FET、当 DCHG FET 关断时、在运输模式下不应有任何电压。 如果是这种情况、您仍可以使用 BQ25720并在运输模式下实现低 IQ。
否则 、您可能需要 自己构建电源路径、例如使用背靠背 ACFET 将电池连接到充电器。
此致、
虎
你好、Tiger、
THX 表示反馈。
对于选项2、您提到了"使用背靠背 ACFET 将电池连接到充电器"、我的问题是、您指的是充电器？ 您是否打算替换 BQ25720电路中当前使用的 MOSFET、并保留 BQ25720的其他部件？ 或者 BQ25720根本不支持运输模式、那么您的建议是更换另一个充电 IC？
期待很快收到您的回复。
BRS/SEN
我的意思是添加连接到任何充电器的额外交流开关。 请参见下方的。
