[参考译文] BQ76952：BQ76952

尊敬的 Yebohr：

对于 Q32、PFET 允许存在反向充电电路。  当 DSG 上升和 DSG 下降时、PFET 将导通、以便 R40漏极过量的放电栅极电容。 但一旦放电、PFET 将关断、这意味着将禁用栅极下拉电阻器 R41、因为 DSG 节点将高于 D7二极管的另一侧。 有关 Q32用途的更多信息、请查看 带 BQ769x2电池监控器的多个 FET 的第20页。 从 Q36来看、似乎这应该是一个类似的用途、但我需要看到完整的原理图。

2.当 LD 引脚上的电压超过设定的阈值时，该器件将开始一个包括唤醒 FET 的唤醒序列。 这可以在数据表的表16-2中看到。 您是否希望对负载检测执行其他操作？

此致！

A·内德尔费尔德

嗨、 Asher Nederveld

感谢您的解释。   

1：我看应用报告、  Q29把放电 MOS 的栅极和源极蛤蜊在一起、而 Q32用来防止 PACK+在充电器反转时被下拉到低于 VSS、防止 DSG 因拉电流而受损。 (感谢您的解释、如果我理解错误、请更正我)

2：LD 引脚可用于将 AFE 从关断模式唤醒至正常模式。 这种类型的唤醒需要向 LD 引脚施加电压。  如果 AFE 处于 SHUTDOWN 模式、则必须通过附加电路执行负载检测、然后将 AFE 唤醒以进行放电。  我想知道在 AFE 处于睡眠模式时是否启用了负载检测功能、AFE 是否会在连接负载后自动唤醒？

此致

赵业博