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[参考译文] TPS65261:高侧/低侧 MOSFET 的交流技术规格

Guru**** 2582405 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1236879/tps65261-ac-spec-on-high-side-low-side-mosfet

器件型号:TPS65261

专家、您好!

客户测量的 VD 波形、发现最大值/最小值超出了数据表规格。 您是否有任何方法可以减少此振铃? 我们将 Rboot 更改为2.2欧姆、但它仍然无法正常工作。 我们没有空间放置缓冲器。

对于最大值、客户有一个降额规格、该规格最大为80% ABS。 因此、根据数据表、最大 H/S VDS 应为16V。 电压超出该规格。  

L/S VDS 至少为-4.16、这也大大落后于规范。 请为我们提供解决方案,非常感谢您的帮助:)

此致、

安连

此致、

安连

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    尊敬的 Lien:

    感谢您的联系。 请尝试以下操作:

    (1)您能否再次确认它们的开关节点测试点和测量方法? 若要正确测量 SW 节点上的电压、使用正确的测量技术非常重要。 为实现最精确的无噪声测量、建议使用最小环路方法和全带宽测量 SW 波形。 只需从探头尖端取下耳罩、然后在探头筒上缠绕一根导线以实现接地连接。 这通过缩短接地回路的长度来最大限度地减小电感。

    (2)请尝试使用10Ω rbst 查看任何改进。

    (3)添加缓冲电路并改进布局。

    BRS

    卢西亚

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    您好,Lucia,

    我们已经使用了本例中最短的布线。 我们将检查 Rboot 是否为10欧姆、然后查看是否有所改善。 谢谢!

    此致、

    安连

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    尊敬的 Lien:

    您是否使用如上所示的方法? 客户是否可以改进布局?

    谢谢!

    BRS

    卢西亚

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    您好,Lucia,

    我可以使用 RD 进行仔细检查、但作为经验、他们将使用最短的环路进行测量。 谢谢!

    此致、

    安连

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    尊敬的 Lien:

    谢谢! 最好能检查测量方法、因为获得最准确的结果很重要。

    BRS

    卢西亚