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器件型号：LM74700-Q1 主题中讨论的其他器件： LM74502-Q1
您好！
我正在寻找一个驱动 N 沟道 MOSFET 的解决方案。
用例：
我使用8V 至24V 工作电压、电流约为60A 的电池来驱动我的负载。
我正在寻找通过在高侧使用 N-MOSFET 来控制负载的解决方案、我是否有任何可以在应用中使用的 IC？
您好！
我正在寻找一个驱动 N 沟道 MOSFET 的解决方案。
用例：
我使用8V 至24V 工作电压、电流约为60A 的电池来驱动我的负载。
我正在寻找通过在高侧使用 N-MOSFET 来控制负载的解决方案、我是否有任何可以在应用中使用的 IC？
Muda、您好！
LM74700-Q1是一款理想二极管控制器、适用于采用仅理想二极管配置来驱动 FET、其中 N-FET 源极连接到输入端、漏极连接到输出端。 理想二极管控制器 仅可防止输入反极性并有助于反向电流阻断。 理想二极管 FET 无法由于体二极管方向而阻断正向电流 、因此不能用于电源路径开/关控制。
您需要查看 LM74502-Q1或 TPS48111等器件、如下所示。
