您好、TI 团队、
我们在设计 BMS 时采用了 bq76952、并且我们已经在以下条件下使用了该 BMS：
100A 连续放电与14个并联 FET (7充电和7放电,这些 MOSFET 规范是;栅极电荷210nc @ 10V 和 Vgs 4.5V @ 250µA )
如果我们要讨论使用 BQ769x2电池监控器的 TI 多个 FET 应用手册、我们的栅极电阻器(R4、R5、R6..-R1、R2、R3...) 与本应用手册的值51欧姆相同、而且 R44为1k、我们的 R45+R40总电阻为57k、R41为1K 。此电路在200A 放电(10-15秒)下可以正常工作、
但是,当我们使用 16个并联 FET ( 8个充电和8个放电 )时,这些 MOSFET 规格是:栅极电荷210nc @ 270µA 10V 和 Vgs 3.8V @) ,但在这种情况下,我们不能打开 FET 超过120A 放电电流, I2C 通信此时失败。
如果我们以100A 启动负载、并在负载导通时将电流增加到150或200A、则 FET 仍处于开路状态、但当我们以超过120A 的电流启动负载时、FET 已关断。
我们尝试了这些解决方案；
首先、我们认为问题会由于 CP1电容而发生、然后我们增加 CP1 和 BAT 电容 1uf 并尝试使用。 我们重复相同的步骤、直到两个电容都 达到 18uf、但电容没有变化
第二、增加 R45+R40和 R1、这些电阻器的值会有所不同、但不会发生任何变化
第三步、移除 D7。 关闭问题不会发生、因此我们通过 R45+R40 (56K)关断 FET、这意味着关断时间变长、这会产生两个不同的问题。 第一个问题是关断时间过长、无法进行 SCD 保护、第二个问题是 MOSFET 在线性区域驱动到长电平、FET 在 SCD 处挤压。
第四、在移除 D7时、降低 R45+R40 1K Ω。 直到 R45+R40总电阻增加到33k、器件仍然无法导通、但结果与第三步几乎相同。
这张图片显示了尝试150A 放电时分流电阻器上的电压、但在这种情况下会出现 FET 问题。
第二张图片显示了 尝试150A 放电时 FET 的 Vgs 电压、但在这种情况下会出现 FET 问题。
thirth 图显示、在相同估值期间、CP1电压
提前感谢、
坎贝尔克
