[参考译文] TPS564247：热问题

Deepak、您好！

我将签入实验、稍后向您提供反馈。

此致、

周

Deepak、您好！

在 EVM 板上、我设置了与您的 Vout =2.8V 相同的值。  负载= 2.5A、芯片温度为51摄氏度(图1)。 这是为了满足设计要求、

2. 可以,您可以增加布局的铜面积以增加散射。

3.在你的计算中具体参数的含义我不太明白。 您能提供更多详细信息吗？

                                            图.1

以下计算是使用实际电路板完成的、以找到正确的功耗

N =效率

PD_TOTAL：降压稳压器中的总功率损耗

PD_IC：(PD_TOTAL -电感器损耗)给出了 IC 中的功耗、不包括电感器损耗。

p_ic_s=仅针对 Mathcad 计算、我使其变得无单位。

如果根据数据表和12V 输入、假设您的效率为92%、则功率损耗约为0.6。

因此温升= 0.6*58C/W+25C=59度。 (根据数据表)

因此、您的 EVM 可能具有大约43C/W 的极低 RJA。

是这样吗？

自行校正后、高于计算出的59度、即您观察到的结温和外壳温度为51