您好!
电路与 TPS4811-Q1 EVM 板几乎相同、如下图所示粘贴:
TPS4811应导通 MOSFET Q60、Q47 (Q13、Q14未加载)当 INP 信号为高电平时、测试设置如下:
我从 P_BAT 连接器输入48V 的直流电压、
测得的 INP 的 I 电压电平约为2.7V、INP_G 电压电平约为2.7V。
在对直流电源上电后、我应该将 MOSFET 打开、因为 INP/INP_G 具有2.7V 的高电压、 但有时我发现 MOSFET 没有被打开、PU/PD 的电压电平大约为39V、有时 MOSFET 成功打开、PU/PD 的电压电平大约为60V。 故障主要发生在我第一次给直流电源上电时、如果我继续关闭/打开直流电源、我发现 MOSFET 可以打开。(预充电功能启用时发生此现象);
如果我通过将 INP_G 的信号下拉至低电平来禁用预充电功能、则其他设置和操作与上述相同、MOSFET 根本没有导通、我捕获了 PU/PD 的信号波形、结果如下所示:
我上电后直流电源出现一个脉冲、然后 PU/PD 变为低电平。
您是否建议如何在没有预充电功能使能的情况下导通 MOSFET?
为什么即使我启用预充电功能、MOSFET 有时也无法导通?
谢谢
开尔文