This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS4811-Q1:PU/PD CAN't 可开启外部 MOSFET、无需预充电功能

Guru**** 667810 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS4811-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1236182/tps4811-q1-pu-pd-can-t-turn-on-external-mosfet-without-pre-charge-function

器件型号:TPS4811-Q1

您好!

电路与 TPS4811-Q1 EVM 板几乎相同、如下图所示粘贴:  

TPS4811应导通 MOSFET Q60、Q47 (Q13、Q14未加载)当 INP 信号为高电平时、测试设置如下:

我从 P_BAT 连接器输入48V 的直流电压、

测得的 INP 的 I 电压电平约为2.7V、INP_G 电压电平约为2.7V。

在对直流电源上电后、我应该将 MOSFET 打开、因为 INP/INP_G 具有2.7V 的高电压、 但有时我发现 MOSFET 没有被打开、PU/PD 的电压电平大约为39V、有时 MOSFET 成功打开、PU/PD 的电压电平大约为60V。 故障主要发生在我第一次给直流电源上电时、如果我继续关闭/打开直流电源、我发现 MOSFET 可以打开。(预充电功能启用时发生此现象);

如果我通过将 INP_G 的信号下拉至低电平来禁用预充电功能、则其他设置和操作与上述相同、MOSFET 根本没有导通、我捕获了 PU/PD 的信号波形、结果如下所示:

我上电后直流电源出现一个脉冲、然后 PU/PD 变为低电平。

您是否建议如何在没有预充电功能使能的情况下导通 MOSFET?

为什么即使我启用预充电功能、MOSFET 有时也无法导通?

谢谢

开尔文

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kelvin、

    输出端的任何电容都将触发 SCP 并关闭 MOSFET。  

    您有任何输出电容吗? 如果是、其价值是多少? 您能否尝试通过移除低于基准输入的  

    此致、

    勒凯什

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、48VDC (Q47)的输出端有电容器、48VDC 是2个直流/直流控制器的输入源、因此直流/直流控制器的输入端有许多电容器、 但总电容不大、约为40uf、 直流/直流控制器输出端有大量电容、输出电容大、总电容约为400uf。 此外、48VDC 会连接到其他板、所连接板的电容未知、在测试期间、我没有连接到其他板。

    由于电路板上有如此多的电容器、我不能一个移除它们、从您的经验来看、总电容的值是多少会触发 SCP? 怎样才能不触发 SCP? 是否应该始终启用预充电功能?

    此外、即使我启用了预充电功能、有时仍然无法开启 MOSFET、如果 尝试十次、可能会出现一个故障、是什么原因导致了该故障?

    我将 R124/R125的电阻值更小、似乎得到了小幅改善、但我不确定电阻器是根本原因。

    谢谢

    开尔文

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的  Kelvin、

    TPS4811会在不到1us 的时间内打开主 FET。 由于 dv/dt 较大、即使输出电容器为1uF 也会触发 SCP。  

    始终启用预充电路径、然后切换到主路径。 为了避免启动期间触发 SCP、我们也可以在主 FET 上添加 RC 网络、如下所示

    在通过预充电路径控制浪涌电流期间、 预充电电阻器中会出现大量功率耗散。 如果 Cout 较高、则需要使用大值电阻器或额定功率较高的电阻器。

    此致

    勒凯什

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rakesh、

    感谢您的建议、我的应用可能要求主 MOSFET 在小于1ms 的时间内快速导通、您建议 RC 值的组合是多少?

    再次感谢!

    开尔文

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kelvin、

    请尝试使用 R1= 100kΩ Ω、R2 = 10Ω Ω 且 C1=10nF

    此致、

    勒凯什

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rakesh、

    在我的设计电路中、我没有添加 R2、C1的元件、所以现在没有地方可以添加两个元件、我想降低浪涌电流、您认为通过增加 R1值是否有帮助。

    增大 R1值可减小浪涌电流、从而不会触发 OVP。

    谢谢、此致

    开尔文

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    对于浪涌电流控制、您需要至少添加 R1和 C1

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    明白了,谢谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    它是否可以通过增加以下的电阻来避免 SCP? 通过增大 R14值来增加将触发 SCP 的电流值的裕度?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、您可以通过增大 R14来增大 SCP 阈值。