[参考译文] LM7480-Q1：MOSFET 脉冲测试失败(Jumpstart)

Q1晶体管器件型号：BUK6D385-100EX

您好、Omer：

原理图看起来很好。 我看不出在输入端施加48V 电压时100V FET 会损坏的任何原因。  

您能否与在启动和关断期间捕获的以下信号共享波形

• VIN、Vout、Iin (输入电流)、HGATE

您好、很遗憾、我现在没有机会也没有时间这么做、我需要在短时间内找到解决方案。

我的第一个预测是、浪涌电流会烧毁 MOSFET。 当我将输出容量减小100uF 时、我看到 MOSFET 没有恶化。

但我需要在输出端使用100uF、如果您可以在不更改布局的情况下帮助我解决这一问题、我会很高兴。

您好、Omer：

如果这是启动期间的 MOSFET SOA 问题、您必须将 Cdvdt 电容值从10nF 增加到更高的值。 这将增加 FET 的导通时间。  如果您可以提供以下详细信息、我可以为您提供 Cdvdt 值以将 FET 运行保持在其 SOA 范围内。

• 最大输入电压：
• 总输出电容：
• 最高环境温度：
• 启动期间的负载电流：
• 负载开启阈值：

• 最大输入电压：JumpStart：48V 此产品将在7637-2中进入所有脉冲测试，有200V 脉冲。
• 总输出电容：109uF
• 最高环境温度：80°C
• 启动期间的负载电流：产品在额定运行条件下为100mA (我可能没有正确理解这个问题)
• 负载开启阈值：产品中的 IC 在6V 后开始工作、但为了实现稳定运行、最小16V 是最健康的

非常感谢您的快速完成和指导。

我在连接到 HGATE 的缓冲电路中将10nF 增加到100nF (在25°C 环境温度下)。 MOSFET 未损坏。 如果产品继续以这种方式工作、我们将来会有问题吗？
我现在的新问题是、在进行7637-2脉冲3b 测试时是否会出现问题？ (输入钳位在77Volta 的 TVS 二极管)

您好、Omer：

我们的 FET SOA 计算包括在最高环境温度和 FET SOA 降额下进行的计算。 因此、您可能会看到 FET 在25°C 下不会发生故障、但在更高的温度下可能会发生故障。

ISO 7637-2脉冲3B 是一种100ns 的超快速重复脉冲、通常由输入和输出陶瓷电容器吸收。 输入端使用的 TVS 是什么？

您好！

我将更详细地介绍 FET SOA、感谢您分享的信息。 我还有一个请求、您可以为我的设计推荐一个合适的 MOSFET 吗？或者具体而言、哪个参数应该是？

TVS PN：TPSMD48A

非常感谢您的回答

您好、Omer：

遗憾的是、我无法  推荐 MOSFET、但您可以参阅数据表中的"10.3.2.5 MOSFET Q1选择"部分以了解 MOSFET 选择指南。

我还可以共享一个基于 Excel 的设计计算器(到下周早些时候)、该计算器计算给定系统参数的 SOA 裕度。  

非常感谢您的支持。
也谢谢您在计算器中使用、我期待您的参与

感谢您的全力支持、我很幸运遇到您