[参考译文] UCC27624-Q1：用于驱动 GaN 的负输出 UCC27624

尊敬的 Manu：

客户是否看过 LM5112或 LM5110？ 这些器件目前是我们唯一采用分离接地方案的非隔离式驱动器。 这可以让客户在不需要任何电平位移电路的情况下向 VEE 施加~-1V 的负偏置电压。 LM51xx 低侧驱动器都用作 GaN 驱动器、因此需要经常加以考虑。  

就我个人而言、我已经看到一些证据表明、1V 至3V 的负偏置并不是很有效。 原因是下拉电流路径现在必须包含负偏置电容器(基本上就像另一个 VDD-GND 电容器)。 这会有一些负偏置、但关断环路中增加的电感/电阻可以抵消其在抗噪性方面的优势。 我经常看到、在这种折衷变得值得之前、人们必须转至超过-3V 的电压。 当然、这将取决于实施情况。 加上 GaNFET 上的负偏置电压确实会增加死区时间损耗、但我不确定这是否是此拓扑中的一个重要因素。

客户可以实现具有相同或更好性能、成本更低的解决方案、而不使用负偏置。 我认为具有低阻抗关断路径的 UCC27624/LMG1020可以实现出色的抗噪性能(尤其是因为 GaNFET 应具有较少的寄生效应来注入噪声)。 但是、这最终由客户决定。 请告诉我、他们是否希望与我们一起制定非负偏置解决方案。

谢谢。

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