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[参考译文] CSD16570Q5B：适用于高电流应用的 MOSFET 拓扑

admin
Guru**** 1753810 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16570Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1331729/csd16570q5b-mosfet-topology-for-high-current-application

器件型号：CSD16570Q5B

与 IMVP 类似、我想根据输入电压的不同、将电流从0安培更改为600安培。 我的要求是在最大范围内具有超低 RDS 值的 MOSFET、这有助于在各种输入电压下提供高电流。  

要实现此功能、需要一些并联 MOSFET 拓扑的指导。 设计思路是让一组并联 MOSFET 在0-200安培范围内工作、并与另一组 MOSFET 在200-400安培范围内工作、以此类推。    

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    TI__Guru**** 1753810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Bhuvaneshwari、

    感谢您关注我们的 MOSFET。

    我不确定您指的"like IMVPs"是不是指微处理器电源规格？

    您能否提供有关所需内容的更多详细信息、以及当我们的主要应用专家明天回到办公室时、他可以查看这些信息。

    我不确定您是否在寻找像多相同步降压这样的开关电源,如果是这种情况,那么我强烈建议您看看我们的多相 IC 和功率级, 下面是一个示例参考设计: https://www.ti.com/tool/TPS536C7EVM-051?keyMatch=&tisearch=search-everything&usecase=hardware

    或者这是 ORing 或热插拔等需要并联多个 FET 以处理电流/功率的直流负载开关吗？

    如果您能提供更多信息、我将期待了解我们如何为您提供最好的帮助。

    非常感谢

    克里斯·布尔

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    TI__Guru**** 1753810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Chris Bull、您好！

    感谢您的响应、IMVP 指的是英特尔移动电压定位、其中 处理器电压(VCC)根据处理器活动进行动态调整、以降低处理器功耗。 因此、我需要参考并联 MOSFET 集、以便在1V 至3V 的输入电压范围内、以更快的开关速率实现0-600安培的输出电流。 如前所述、我需要一种拓扑来实现该功能。

    此致

    布瓦内斯瓦里  

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    TI__Guru**** 1753810 points
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    Bhuvaneshwari、

    CSD16570Q5B 不适合降压转换器等快速开关应用、而出色的低电压高电流类型解决方案是前文提到的参考设计相关产品中的器件。

    我要将此主题重定向到该小组、因为我认为他们最能帮助您满足600A 低电压要求。

    业界使用多相同步降压方法来应对这些高电流快速开关/瞬态类型的应用。 如果您不熟悉多相降压转换器、TI 在这里写了一篇文章： https://www.ti.com/lit/an/slyt449/slyt449.pdf 、这篇文章详细介绍了其优势。 它显示了一个两相设计、但是控制器能够提供更多相位来提供这些极高的电流。

    非常感谢

    克里斯……

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    TI__Guru**** 1753810 points
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    尊敬的 Bhuvaneshwari：

    感谢您联系我们。  

    我是 Abhishek、我在适用于高电流应用的多相电源解决方案领域工作。  

    我们拥有从控制器到智能功率级(最高16相)的完整解决方案。 由于 Chris 已经和大家分享了多相设计的概念、请仔细查看、并告诉我您确切规格的确切规格、我们可以进一步为您提供帮助。 同时、您可以查看可能在您的应用中使用的 CSD95410等产品。

    CSD95410RRB 数据表、产品信息与支持| TI.com

    谢谢。此致、

    阿比谢克