[参考译文] LM51551-Q1：有关偏置和内部 VCC 稳压器效率的问题

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器件型号：LM51551-Q1
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您好专家

我看到了数据表中的 VCC 引脚功能—"内部 VCC 稳压器的输出和 MOSFET 驱动器的电源电压输入。连接
从该引脚到 PGND 的陶瓷旁路电容器。"。

从 LM51551方框图来看、它似乎 VCC 只是为栅极前置驱动器供电。

对于该架构、我有一些问题。

Q1：如果 BIAS 连接到高电压、则 VCC 稳压器(LDO)将承受高电压。 VCC 稳压器的效率如何？

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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您好、Jay、

感谢您使用 e2e 论坛。
如果偏置电压非常高、则当 LDO 电压稳压至固定值时、VCC 上的损耗确实会增加。
在这种情况下、也可以从外部提供 VCC 电压以减少这些损耗。
在此、请务必不要超出引脚的绝对最大值。
另请注意、LM5155有一个从 VCC 到 BIAS 的内部 ESD 二极管、因此如果 Vvcc > Vbias 随时、由于 ESD 二极管正向偏置、器件可能会损坏、并可能会快速断开。

此致、
尼克拉斯

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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您好，Niklas

如何理解以下词语？您是说我们可以提供电压源来为 VCC 引脚供电吗？

Unknown 说：
可以从外部提供 VCC 电压以减少这些损耗。

喜欢以下图片？这些电路可以减少 LDO 稳压器损耗？

如何计算 LDO 稳压器损耗？

如果 Bisa=40V、Vcc=6.85V、那么 LDO 稳压器损耗是(40V-6.85V)* 35mA = 1.16W？对吗？它看起来太多了！

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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您好、Jay、

第一个参考文献(图9-5)不专门介绍 LDO 损耗的降低。在较低的 Vin (Vin 7V-15V)下、损耗相当小。
第二个参考(图9-7)就是我的意思。在具有高输入电压(例如>30V)的反激式应用中、VCC 引脚通常由变压器的辅助绕组供电、以避免 LDO 损耗。

用于计算 LDO 损耗的公式不完全正确。
电流值来自内部逻辑电源(请参阅关断电流)和为栅极驱动器供电的电流。
栅极驱动器电流仅在 FET 的栅极电容充电时流动、这在每个开关周期开始时仅需要几纳秒的时间。
因此、最终功率损耗取决于所选的 FET 和开关频率。

此致、
尼克拉斯

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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您好， Niklas

Unknown 说：
第二个参考(图9-7)是我的意思。在输入电压较高(例如>30V)的反激式应用中、VCC 引脚通常由变压器的辅助绕组供电以避免 LDO 损耗。

由于客户使用 SEPIC、因此 AUX 绕组方法可能不同于反激式拓扑。

Unknown 说：
栅极驱动器电流仅在 FET 的栅极电容充电时流动、这在每个开关周期开始时仅需要几纳秒。

我想我知道你的观点! 此内部 LDO 稳压器并不总是正常工作！

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[参考译文] LM51551-Q1：有关偏置和内部 VCC 稳压器效率的问题