您好、TI 团队、
COM 连接是否正确或 TI 是否提出任何建议？
如下面的附加原理图所示、我们在 PGND (电源接地)和低侧 MOSFET 源之间使用 Rshunt (分流电阻)。
1)想知道连接 COM 引脚的位置? 它应该是直接源引脚更低的 MOSFET (如下面随附的原理图中所示)、还是应直接连接 PGND。
2)另请分享您对肖特基二极管(D11、D12、D13、D19)位置的评论和其他对此的建议。 
您好、William、
感谢您对此的答复。
a) 如您所说、COM 引脚也应该连接到 PGND、但如果我们连接该 COM 引脚 SL 和 PGND、则 SL 引脚会有效地成为 PGND 以及电流将如何从检测电阻中流出。
您能否分享图表草稿以便更清楚地说明 如何在中将 COM 和 SL 引脚连接到 PGND。
b)重要说明 :考虑到以上情况,在测试过程中,有5-6qty UCC 驱动器 IC 被损坏。 我们移除了那些损坏的 UCC IC 并在 VSS (3 NO )引脚的所有引脚之间测量出了欧姆值。 请参阅以下所附的欧姆测量图。 
1)观察结果是、与原始正在工作的 UCC IC 相比、相对于 VSS 的引脚11显示为较低的欧姆
2) 2)引脚5和6与原始工作 UCC IC 相比显示为较低的欧姆值
注意：我们的系统工作电压为
输入电压：27至33V
VOUT：30V
IOUT：< 20A
电路中存在所有二极管(D11、D12、D13、D19)、但 UCC IC 仍损坏。
请指出上述原理图的问题。
谢谢！
嗨、
您最初开机自检时的原理图是否在没有将 COM 和 VSS (PGND)连接在一起的情况下出现了这些故障？
如果是、VSS COM 绝对最大额定值为-7V 最小值和6V 最大值、如果没有连接这些值、可能会超出该范围。 如果将这些单独进行处理、则可能会违反该规范并损坏器件。 简化版原理图的数据表中提供了这些电路连接在一起的示例。
COM 用于低侧驱动器输出回路、因此需要连接到 PGND 作为 LO 基准、以驱动低侧 FET。
您对 IC 引脚到 VSS 的测量对于查看可能存在潜在损坏的地方很有用、但 VSS 是逻辑接地、COM 是输出接地、因此这次测量的引脚基准、尤其是输出侧的引脚基准应该是 COM。
引脚11 (HS)损坏可能是由于 HS 开关节点上的负电压瞬变所致。 请在驱动程序中相对于 COM 测量此值、以验证是否未违反此规范。 此引脚上的建议最小值为-8V、但有关负 HS 的更多信息、请参阅第7.4.5节"负 HS 电压条件下的工作"。
另外、您能否详细说明在 Vs 单元1、2和3下 U5失败的情况？
如果有任何其他问题、请告诉我。
谢谢！
威廉·摩尔
您好！
感谢您在以上几点上的澄清。
基于以上详细信息、我们已根据以下更改列表修改了原理图
1) 1) COM 引脚连接到 VSS (PGND)
2) 2)在 HS (11引脚)引脚上添加了肖特基二极管、以避免负电压。
重要说明： 如您所知、我们在 低侧 MOSFET 和 PGND 之间使用电流检测电阻器、如原理图所示。
考虑到这一点、根据上述建议、COM 引脚直接连接到 PGND。 我希望这就是你要在上面说的。
请求您可以确认此修改是否正确或有任何建议吗？
谢谢！ 
感谢 William 的支持和建议。
是的、我们添加了串联电阻(如下图所示)、以便进行测试并返回给您。
谢谢！ 
