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[参考译文] LM7481:DGATE 和放大器上的并联 MOSFET;HGATE 侧

Guru**** 1563545 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7481
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1331421/lm7481-parallel-mosfets-on-the-dgate-hgate-sides

器件型号:LM7481

我使用 lm7481来提供理想的二极管设置。 我尝试通过 MOSFET 的电流大小存在问题。 MOSFET 的导通速度非常慢。 目前我有并联 MOSFET、我想知道驱动强度是否不足以驱动四个 MOSFET。 在这种情况下、我可以为电路设计做些什么来为我提供帮助吗? 我正在使用的 MOSFET 是 IXTX400N15X4。 HGATE 侧上的两个并联。 每个引脚都有自己的电阻器、目前我没有用于限制电流的缓冲器电路。  

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    Andrew、您好!

    欢迎使用 e2e!

    HGATE 驱动强度(55uA 拉电流)旨在较低以实现浪涌电流限制。 考虑到总 FET Ciss = 2x 14.5nF = 29nF 、器件将实现缓慢启动、有望在启动期间限制从 IN 到 OUT 的电流。  

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    非常感谢您、Praveen。 感谢您的帮助!  

    此致、

    安德鲁·里奇