团队、A.、您好！
我们需要根据以下规格选择一个 N 通道。
90A 持续电流
200A 脉冲(100us)
150A 脉冲(1ms)
低 Rdson
低输入和输出电容
MOSFET 用于打开/关闭电路板电源(48V 系统)。
我可以将 MOSFET CSD18542KTT 用于我们的应用吗？ 
VDS 在 SOA 中有何关联。
上图显示了当 VDS 高于1V 时、直流漏极电流大于120A。
VDS 是 RDS 和漏极电流
器件的 RDS 是3.3-mΩ、ID 是90A。
因此、VDS 将仅为297mV。
请更正我是错的。
有人可以检查器件是否在 SOA 中工作吗？
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您好、John：
感谢您的答复。
很抱歉这么晚才回复。
该系统是24V 系统、我希望可以使用60V MOSFET。
请更正我的错误。
此外、我们将使用栅极驱动器 LM9061-Q1来驱动 MOSFET。
因此、最大栅源极电压将为15V。
您能否解释一下如何 计算 MOSFET CSD18542KTT 的最大4W。
数据表显示为250W。 
I^R 仅给出(5.1mΩ)=41.31W。
器件 CSD18542KTT 的持续电流为120A。 
那么、我们为什么不能对90A 应用使用单个 MOSFET 呢？
ZhengTao Dai 说：FET 在饱和区运行时需要注意 SOA (Vds > Vgs - Vth)
在我们的应用中、VGS 为15V。
Vth (我希望它是 VGSth)最大值为2.2V。
VDS 是 ID*RDS(如果我错了请更正我)是90*5.1=0.459V。
因此 MOSFET 在饱和模式下工作。
此外、研究图形的同时、 
在低 VDS 时、电流似乎很低、只有大约10A。
实际上，VDS (MOSFET*IDS)上的功率压降将会非常小(MOSFET 的安全性更高)
如果 VDS 增加到1V 以上、电流将高于100A、这是 MOSFET 上的很高压降。
为什么会这样呢？
如何增加 MOSFET 的 VDS 以承载更多电流？
当将 MOSFET 作为开关操作时、我们需要在 MOSFET 上实现低电压降。
请更正我的错误。
我知道我对 MOSFET 的一些理解是错误的。
请更正我。
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