[参考译文] BQ27411-G1：访问 RAM 数据时出现问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：BQ27411-G1
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO、 EV2400

跟进上一个线程、检查手册 SLUA801并实现了扩展命令的建议工作流程。

上一主题中提到的情况会持续存在、并会进行额外的观察。

1.从完整块读取的偏移量

除了从特定的块偏移读取两个字节、一个新的实现已经被尝试读取整个块。

写入命令为0x40、读取了32个字节。

接收到异常格式的返回数据。读取的数据与手册一致、但读取的字节偏移量不正确。例如、读取 ID 为0x52的子类状态时、在偏移5而不是6中读取了 Q Invalid Max V。所有数据被前移一个字节。因此、我不确定哪个字节会被省略。

此外、事务的最后一个字节(字节31)是校验和值。我不确定手册中是否有提及。

2. 无响应 BlockData()访问命令

与上面的设置相似、写入命令被更改为0x46以使用偏移量 6访问块值来直接访问 Q INVALID Max V 值。但是、返回的读取数据与上一条命令相同。 0x40和0x46的 BlockData ()返回相同的数据、这是意外的。

3.在 BlockData()之前要求校验和写入

我不确定我的理解是否正确、但在设置新的 blockData 值之前、必须传输待处理写入块数据的校验和值、以避免 NACK 情况。

手动 SLUA801似乎在写入块数据之后执行校验和写入、这可能与手动 SLUUAS7B 中的建议不一致。

我在这个观察中可能是错的。尽管 NACK 的情况得到了解决,但我认为写入程序不会被接受为 BlockData ()写入后的寄存器值没有改变。我还在研究这个问题。

再次感谢您的关注。

0 admin 4 个月前

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我建议使用 bqStudio 和高级通信尝试您的数据访问。

例如：从 CLASS 状态读取32个字节、块0：

符合以下参数：

请注意、 Q Invalid Max V 不处于分级状态、但处于 Class Chemistry Info：

因此、如果您要读取 Q Invalid Max V、您必须从偏移量2、块0、子类 ID 0x6D 中读取一个16位整数(大端字节序)：

0x0EE3 = 3811mV

#3:更新电量计参数缓冲区(通过0x40++命令访问)中的数据后,您必须写入校验和和和长度。

#2：请尝试复制 Chemistry Info 类的正确读取序列，如#1中所示。

0 admin 4 个月前

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感谢您的回复

#1 #2

bqStudio 似乎需要 EV2300才能正常工作。在访问寄存器数据时是否有替代方法？

我认为 bqStudio 中提供的数据与用户手册不一致。是否有提供正确地址和寄存器参考值的手册？

在更新后写入校验和导致到目前为止本例中的 NACK 响应。如果我发现可以通过某种方法在读取寄存器值时获取正确的值、我将对问题进行验证。

再次感谢您的友好帮助。

0 admin 4 个月前

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您需要具有 bqStudio 的 EV2400或 EV2300。 bqStudio 中的地址是正确地址、并且比 TRM 中的地址更新。

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