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器件型号：BQ40Z80 您好
该客户设计采用 BQ40Z80的6节串联电池。
放电电流为5A。 当放电后触发 CUV 保护时、放电 MOS 将击穿、导致短路并使欠压保护失效。 DMOS 击穿的原因是什么？
附上了原理图。
请帮助检查它。
谢谢
星形
尊敬的明星：
当 VDS 与 FET 的电流 VGS 相比足够大时、FET 将进入击穿状态。 以下是 bq40z80 DSG 引脚在导通和关断时的额定值。
使用并联 FET 时、我们建议为每对 CHG 和 DSG FET 将栅极连接布线在一起、并在它们之间串联一个电阻器。
如果这不能缓解该问题、我认为下面的主题可以提供更多选项来帮助您：
此致、
安东尼·巴尔迪诺
