[参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328212/selection-of-mosfet-for-high-current-application

主题中讨论的其他器件：CSD16570Q5B

我正在寻找一种能够处理0到600A 电流、输入电压范围为0.4到1.4伏的 MOSFET。您能建议一个具有极低导通电阻(RDS)或并联配置的 MOSFET 来实现这一方案吗？

9 months ago

0 admin 9 months ago

TI__Guru**** 1689980 points

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您好、Bhuvaneshwari、

感谢您关注 TI FET。 TI 产品系列中的最低 Rds (on) FET 为采用5x6mm SON 封装的 CSD16570Q5B、25V NFET。此封装能够实现约3W 的最大功率耗散。我估计、若要传导600A 电流、至少需要并联10个 FET。每个器件的估算导通损耗约为2.2W、这在封装的能力范围内。 FET 中的总损耗约为22W。我假设 VGS = 10V (栅极驱动)、采用低侧开关配置(源极接地、负载连接在输入电压和 FET 漏极之间)。如果栅极驱动电压为5V、则由于 VGS = 5V 时的导通电阻较高、因此需要更多并联 FET (共12个)。如果您有任何问题、请告诉我。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 9 months ago

TI__Guru**** 1689980 points

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您好、John：

感谢您审核我的问题。您能否向我提供有关如何估算并联配置中的 MOSFET 数量的公式。感谢你在这方面的协助和指导。

此致、

布瓦内斯瓦里

0 admin 9 months ago

TI__Guru**** 1689980 points

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您好、Bhuvaneshwari、

我使用了下面链接中提供的基于 Excel 的负载开关工具来计算 FET 的导通损耗。该工具不允许并联 FET、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可估算损耗。附件是假设有10个并联 FET (60A/FET)的预填充电子表格。我不得不使用1.5V 输入电压、因为这是工具接受的最低值。

https://www.ti.com/tool/LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC

e2e.ti.com/.../LOAD_2D00_SWITCH_2D00_FET_2D00_LOSS_2D00_CALC_5F00_Rev2.xlsm

此致、

约翰

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。