[参考译文] BQ25756：采用 GaN FET 芯片(EPC23102ENGRT)和降压/升压控制器

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328310/bq25756-using-gan-fet-chip-epc23102engrt-with-the-buck-boost-controller

您好！

我们之前也提出过一些问题。 案例号为 CS2169510。 自该查询关闭以来、我将把下一个查询写为 fOLOS：

为了降低功率损耗、我们更倾向于使用 GaN FET。 我们选择的元件是 EPC23102ENGRT。 它具有内置驱动程序、我们必须提供 逻辑电平信号 也会施加到高侧 FET。 由于我们没有 BQ25756的完整内部架构、因此我假设它可以通过将 SW1和 SW2引脚接地来实现。 这是否会导致 HIDRV1和 HIDRV2引脚上具有5V 信号、并以 GND 为基准 ？ GaN FET 方框图如下所示：

还可以使用 BTST1和 BTST2引脚为上图中的 VDRV 供电吗？ 我认为这些引脚的电压为5V。 如果是、我可以在两个二极管之后连接这些器件、如下所示：

谢谢。此