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[参考译文] LM5116:LM5116在上电期间损坏

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1327236/lm5116-lm5116-damaged-during-power-up

器件型号:LM5116

尊敬的所有人:

我有一个采用 LM5116的设计 、如随附图像所示。  

控制器 LM5116会在上电期间损坏。 芯片本身有时会在内部损坏、在其他情况下、只有外部 MOSFET 或分流器会损坏。 某些电路板在随意加电之后会发生这种情况、 有时 在电路板工作数天之后也会发生这种情况。

在我们的设计中、为了从外部驱动 MOSFET、我们添加了一个外部电压稳压器。 它  在电源达到+14V 后运行。

我们检查了电压、它们看起来是正确的、我们没有注意到任何特定的过冲。 在我们向上部 MOSFET 添加15V 齐纳二极管后、我们的故障较少、但 仍然没有解决问题。

有没有建议如何提高上电过程中芯片的稳健性?

此致。

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    Paolo、您好!

    您能否填写计算器电子表格以便让我了解您的要求、并根据这些要求检查您的原理图。  如果检查完成后、可能需要检查布局、但让我们首先根据您的要求检查原理图、链接到下面的计算器、 谢谢。

    LM5116-5116WG-25116DESIGN-CALC 计算工具| TI.com

    大卫。

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    e2e.ti.com/.../LM5116_5F00_quickstart_5F00_Paolo.xls

    您好、我向您发送按照我的要求编译的计算电子表格。 期待您的答复。 谢谢

    保罗

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    Paolo、您好!

    您是否可以移除4.7R LS 栅极驱动电阻器。  此外、可以根据计算器将 Rramp 降低到200k。  

    您的布局是什么样的?  您是否遵循了数据表中提供的指导?

    检查栅极驱动布线和电流检测反馈布线是否以差分方式布线、并且 CSG 是否在 Rsense 处接地而不是由器件接地?   

    希望这对您有所帮助。

    大卫。

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    大家好、我会按照您的建议在将来的量产中使用。 我将移除 LS 栅极电阻、并按照建议将斜坡电阻值从100k (当前)增加到200k。 关于布局、我将向您发送一张 LM5116布局图像和带正确参考的电路图、并提供一些建议。 我们试图使迹线尽可能靠近芯片。

    我还有另一个问题、在我们的最新产品批次中、有更多的 LM5116受损、芯片的标记代码是24AT8CU 和23AHE9U。 我想问您是否有任何关于这些标记代码的报告。

    此致。

     

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    Paolo、您好!

    我会尽量找出您关于批处理代码的问题、这很少见、但可能会这样。

    大卫。

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    批次代码的产量与基线数据相匹配。