[参考译文] LM4050-N-Q1：精度

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1321450/lm4050-n-q1-accuracy

器件型号：LM4050-N-Q1

请问在下面的条件下、这个芯片能否保证它的输出在25℃ 达到0.1%的精度？
~应用中的芯片电流约为0.8 μ A 0.9 mA。谢谢

5 个月前

0 admin 5 个月前

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2、稳定运行的实际电流精度是多少? 是否需要考虑"deltaVR/deltaIR"？
从下面的注释可以看出、只有在从无负载切换到负载时才需要考虑到这一点。请说明。谢谢！

0 admin 5 个月前

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尊敬的 Mingkang：

只要您在具体条件下使用 A 级 LM4050-N-Q1、输出电压精度在最初时应满足25°C 的0.1%。只要器件的电源电压以及器件提供的输出负载保持稳定、就不需要考虑负载和线路调节。这意味着输出负载没有变化、在数据表示例中、它们表示输出负载从空载到特定设置负载的变化。器件的长期稳定性会随着时间的推移导致0.1%的精度下降。

有关影响输出精度和计算总误差的参数的更多信息、请参阅电压基准误差计算器工具。 https://dev.ti.com/gallery/view/LPVRS/ADC-TO-VREF 选择 Design_Tool ver/1.0.0/

谢谢。
约书亚

0 admin 5 个月前

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谢谢你的答复, Joshua。让我来更清楚一点。以下应用中的芯片电流大约为 0.8~0.9mA。 稳定后 VCC AREF 的输出电压精度是多少？还满足25°C 0.1%的要求？

0 admin 5 个月前

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尊敬的 Mingkang：

在0.8 μ A 0.9mA~电流下、器件将不满足0.1%的精度要求、这仅适用于100uA 工作电流下。增加工作电流将提高反向击穿电压容差。请允许我在2/21 ~结束前了解0.8 μ A 0.9mA 工作电流下的反向击穿电压容差。

谢谢。
约书亚

0 admin 5 个月前

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尊敬的 Mingkang：

ΔVR 后端团队进行了阐释后、在稳态条件下、确实需要考虑反向击穿电压随工作电流变化(Δ V/Δ ΔIR)的变化。描述以脉冲为基础进行测量的负载调节的原因不是表示在不断变化的负载条件下、而是解释该测试完成得足够快、能够防止电流加热器件、因此与裸片温度变化无关。在数字上考虑这一点(不包括长期稳定性)反向击穿电压(Max)=基值+容差+随工作电流变化而变化= 4096mV + 4.1mV + 0.9mV = 4101mV、精度约为0.122%。

谢谢。
约书亚

电源管理（参考译文帖）

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