[参考译文] CSD18532Q5B：如何阅读数据表

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：CSD18532Q5B

①使用 Ta 和 Tc 时、数据表中的图12是否相同？
②How 我应该考虑数据表中使用 Ta (不带散热器)的图10吗？
所列的 MOSFET 源极和漏极之间可流经二极管的电流值③Where μ A？
此外、例如、如果它可以流过大约30A、则功耗为
Vf (假设为0.8V)×30A=24W

不过、那时的功耗概念与" PD (功耗)"相同、如果超过 Ta、是否需要散热器？

0 admin 1 年多前

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您好 Sato-San、

感谢您关注 TI FET。要回答您的问题、请执行以下操作：

图12是特定于外壳温度、即 TC。该曲线是使用 TJmax = 150°C、RθJC = 0.7°C/W 和变化的外壳温度计算得出的、如以下链接中的博客所述。不过、可以为结至环境绘制类似的曲线、TI 只能控制 RθJC 和 RθJA、这在很大程度上取决于 PCB 布局以及层叠和环境条件。
图10是在25°C 外壳温度下测量的最大安全工作区域、该温度是在器件安装在无散热器的 PCB 上的情况下测得的。我不确定您在寻找什么。
TI 未规定最大体二极管电流。理论上、该电流应与最大漏极电流相同、但它受功耗的限制、如下面链接中技术文章所述。

5x6mm SON 封装的主要散热路径是通过底部的散热(漏极)垫进入 PCB。该封装在多层 PCB 上的最大功耗约为3W、并且散热设计良好。基于早期仿真的结果、封装顶部的估算热阻与9°C/W 相关。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

此致、

约翰·华莱士

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