[参考译文] LMR16030：Webench BOM 陶瓷电容器尺寸和放大器；占空比控制

上述数据表中提到、如果 LMR 的距离输入电压源仅有几英寸、则也使用电解电容器。 但是、当只有几厘米的4.7 100µF 但没有提到如 TINA 模型中所示的堆叠方式时、可以使电容加倍、并将输入阻抗一分为二。 同样、BOM 显示了所有 X7R 选择、当 X5R、特别是两个堆叠的器件应该绰绰有余、因为 X7R 没有获得任何相对于 X5R 陶瓷器件的速度优势。  

关于二极管选择的另一点是、它比输入大25%。 看似具有过冲控制二极管阴极的 UVLO 恢复不应具有完整的输入电压、否则瞬态会烧毁下游稳压器等。 在这种情况下、我们希望二极管在 FB 环路关断时短路关断 PWM 驱动器、从而熔断保险丝或任何其他成本更低的计数器测量。 因此、当 MCU 3V3电源轨免短路时、降额二极管击穿电压可以提高开关效率和电路可靠性的成本优势因素。 因此、100V 肖特基并不比60V 更可靠、可能会在未来引发灾难。 比如对二极管击穿电压运行 Tina 仿真、从而观察瞬态 UVLO 恢复操作。

8.2.2.6肖特基二极管选型二极管的击穿电压额定值最好比最大输入电压高25%。

9电源建议：LMR16030可在4.3V 至60V 的输入电源电压范围内运行。该输入电源必须能够承受最大输入电流并保持稳定的电压。 输入电源轨的电阻应足够低、以使输入电流瞬态不会在 LMR16030电源电压上引起足够大的压降、从而避免造成错误的 UVLO 故障触发和系统复位。 如果输入电源距离 LMR16030超过几英寸、那么除了陶瓷输入电容器之外还可能需要额外的大容量电容。 大容量电容的容值并不重要、但一般选择47-μF 或100-μF 电解电容器。

选择的铝聚合物电解56µF 80V 最大 SMD 由于制造48V 电池阵列将距离输入连接器几英尺远。 然而、软启动(SS)需要300ms 才能使 LMR 启动并 降压到 DCM 电源、它绝不应过冲浪涌插入。 如果 Tina 显示3.6A 电流峰值、似乎似乎合理的 CCM 将在热插拔后的某个点发生、因此4.5A 肖特基二极管 SOD128在设计上是合理的。

8.2.2.7输入电容器选择 LMR16030器件需要高频输入去耦电容器和一个大容量输入电容器、具体取决于应用。 高频去耦电容器的典型建议值为4.7 μF 至10 μF。 建议使用有足够额定电压的 X5R 或 X7R 类高品质陶瓷电容。 为补偿陶瓷电容的降额、建议电容额定电压为最大输入电压的两倍。 此外、LMR16030电路位于距离输入电压源约5cm 的范围内时需要一些大容量电容。 该电容用于阻尼由电缆或迹线的引线电感引起的电压尖峰。 在此设计中、使用了两个额定电压为100V 的2.2-μF、X7R 陶瓷电容器。 0.1 μF 进行高频滤波、并将其放置在尽可能靠近器件引脚的位置。

您好、Collin、

原始 PCB 24V 输入采用每个降压转换开关1.5MHz 的180µF 电解电容器和3个4.7uF 50V 陶瓷电容器。 LMR 频率(760KHz)和 TINA 瞬态分析在宏中内置了某种开关式24V 直流电源。 所以、宏不是很好地研究输入阻抗、尽管过去在用欧姆示波器绘制运算放大器输出阻抗的图形中增加了这种方法。   

同意、奇怪的是、Tina LMR 宏无法通过功率计产生正确的输入或输出负载。 输入功率峰值高于350瓦。 同样的电路分析能够很好地与 LM317KCB 配合使用。