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您好！
我们在使用的是 BQ78350和 BQ76930000、
对于电量监测 、CEDV_cfg 值处要输入多个参数(例如 EMF、C0、R0、T0、R1 TC 和 C1)。 我们将8S1P 电池组置于温度室中。 这用于捕获 BQstudio 中的"Gauge Parameter Calculator Packager"所需的测量数据值。 我们在 -10、20和35度的温度下
这是根据《电量监测参数计算器的 CEDV 数据收集简易指南》(GPC)完成的。 最后发送到 gpcUpload.tsp。 生成的日期给出了 SOC 错误率、其值在指定的限制范围内。
文件 SoC 误差、% 通过
roomtemp_lowrate.csv 0.558723563774061 1
roomtemp_highrate.csv 1.09633817169533 1
hightemp_lowrate.csv -2.58474160835011 1
hightemp_highrate.csv -2.73640886693718 1
lowtemp_lowrate.csv 0.0292680324642749 1
lowtemp_highrate.csv 2.69111514030818 1
然后、我们输入了给定的新参数 EMF、C0、R0、T0、R1 TC 和 C1。
这些参数可控制 SOC 的零点调整以及12度以上的 SOH (学习低温)。
如果我们检查 SOC 的温度低于冻结点(-10摄氏度)并检查 SOC、则表明电池容量损耗没有校正。 我们进行了很多测量。 看起来电量监测是否在低温下未使用充满电容量损耗。
结果是低温下的 SOC 不呈现真正的 SOC、因为我们在放电结束时看到的是 SOC 仍然为18%、并且电池由于 COV 而关闭。
我的问题是、我们执行了大量测试和文件生成来从 TI 获取 CEDV 参数、但最终的 SOC 结果很差。
你能解释一下吗?
在低温下 BQ78350未充满电容量损耗是正确的吗？
或者、我们是否漏掉了 BQ78350中的一些可解决上述问题的设置、是否有要设置的参数或位以在负温度下正确运行？
此致
雷恩斯
