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[参考译文] BQ25300：电源管理论坛

admin
Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25300
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1324634/bq25300-power-management-forum

器件型号：BQ25300

您好！

 我正在设计采用电源路径配置的 BQ25300的电路板。 我不确定将 VBUS 连接至 Q4.G 的二极管的功能。

它是否用于补偿 Q1上的压降？ 将 VBUS 直接连接到 Q4栅极难道不是更好吗？


无论如何、我都可以放入器件、但我不确定是肖特基器件(例如 PMEG3010EH)还是硅器件(例如1N4148)。

感谢您的任何建议
斯特凡诺

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    附录：如果我放置一个 Vf 过高的二极管、我会使 Q4导通。 对吧？

  • 0
    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好！

    具体思路是、当移除 VBUS 时、PFET Q4导通、以便从电池为 VSYS 供电；当 VBUS 插电时、PFET Q4关断、VSYS 由 VBUS/PMID 供电。 只要您的设计可以实现目标、就没有问题。

    谢谢。

    宁

  • 0
    TI__Guru**** 2387080 points
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    你好，宁。 我了解了该功能、但我必须使用哪种二极管？ 标准器件还是肖特基器件？

    谢谢

    斯特凡诺

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    Stefano、

    请使用 肖特基二极管。

    谢谢。

    宁

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    好的。 谢谢