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器件型号：BQ76940 您好、专家！
当我们执行 SCD 时、MOSFET 出现了损坏的问题。 我们设计了两块电路板、可用于解决此问题。 电路板 A 在 CHG 和 DSG 侧各有4个并联的 N 沟道 FET (MPN：BSC061N08NS5) 和电路板2、CHG 和 DSG 侧各有一个 N 沟道 FET。 (MPN：PSMN1R9-80SSEJ)。 该电池组采用14S14P 配置、 Panasonic 18650BD 用作电池。
电路板 A 原理图：
电路板 B 原理图：
BMS 逻辑板上的 AFE 原理图： 
我们知道 AFE 正在检测 SCD、因为我们看到 SCD 警报标志被发出、并且我们的 MCU 控制器能够查看和记录事件。 根据 BQ769x2应用手册的建议、我们还添加了一个局部 PNP 关断电路、以帮助消散 MOSFET 可能具有的寄生栅极电容。 在所有这些更改中、我们仍然无法通过 SCD。 DSG MOSFET 正在熔断、并显示源极和漏极之间存在短路。
因为我们有较小的测试包、因此也进行了测试。 仿真结果如下。
- 电路板 A - 14S1P -已清除。
- 电路板 A - 14S10P -失败。
- 电路板 A - 14S14P -故障 。
- 电路板 B - 14S1P -清零。
- 电路板 B - 14S10P -清零。
- 电路板 B - 14S14P -失败。
这使我认为 MOSFET 的雪崩电流额定值是造成差异的参数、因为与电芯并联时、电池组可以在短时间内达到的最大电流也会降低。 我还想讨论添加栅极驱动器 IC 的想法、甚至使用 TI 产品系列中的电池电量监测计、因为这些器件更加能够处理大型 MOSFET。
我将对帖子进行编辑、并在进行进一步测试时不断添加更多相关信息。 请将您的想法投影出来。
此致！
Abhijith。
