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[参考译文] UCC28740:UCC28740启动、但具有特定顺序

Guru**** 2503365 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28740

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1321902/ucc28740-ucc28740-starts-but-with-certain-sequence

器件型号:UCC28740

我有一个采用 UCC28740制成的反激式电路。 最初电路必须输出3.3V 电压、但它不能自行启动。 做一些测试我已经意识到,我已经设法让它开始,但有一个奇怪的顺序。
首先、我在输出端短路、将其保持在0V、然后使用螺丝刀触摸 UCC28740的 VS 引脚、集成电路启动、并且我在输出端看到消耗1.14A、差不多是应该具有的短路电流。 然后、我消除了短路情况、电路仍然正常工作。
我知道通过将输出强制为0V 以某种方式使输出短路会使输出保持放电状态、这一点一定会产生影响、尽管我真的不知道具体情况。

然后 VS 引脚如果我不明白发生了什么,我不知道什么物理现象与螺丝刀产生的起始集成。

如果我不这么做、UCC28740会保持提供 DRV 栅极中的三个脉冲、这些脉冲是起点的典型值。

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    尊敬的 Alexis:

    我正在处理这条线,我明天早上会回到你身边。

    谢谢!

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    尊敬的 Alexis:

    请在您的示波器中单次拍摄我将在下面指示的波形。 这将使我们能够执行更好的调试过程并解决问题:

    -(VDD GND):5V/div 或10V/div。 将触发器置于该通道上。 触发:上升、UVLO (21V)。 通过该波形、我们可以了解 VDD 是否达到 UVLO、以及器件是否处于故障模式。  

    -(VS-GND): 2V/div。 该波形将告诉我们器件是在启动还是正在切换。

    -(DRV-GND):5V/div 或10V/div。 此波形将告诉我们 IC 是否正在向主开关 FET 驱动脉冲。

    -(CS-GND):2V/div。 这将为我们显示初级电流。

    时间刻度(单位为 ms/div)(当您捕捉波形时、检查哪种刻度更好)。

    如果可能、请在探头时使用尖端和接地筒连接器(参见下图)、尤其是对于(DRV-GND)和(VS-GND)。 这些连接器可实现更好的耦合和减少寄生电感、从而实现非常精确的探测和测量。

    谢谢你。

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    好的、我已经采取了上述措施、但出于安全原因、我更愿意在不使用尖头和桶形连接器的情况下采取这些措施、尽管如果绝对必要、我可以尝试一下。  

    数据表中的信号(VDD GND)似乎指示某种故障、但确实达到21V 的值。

    在 VS-GND 和 DRV-GND 和 CS-GND 等其他信号上、当达到 UVLO 时、只有一个串联脉冲、通常为三个。

    上图是 VS-GND。

    在 DRV-GND 中、可以更好地观察到三个脉冲:

    CS-GND 信号示波器无法在2V/div 条件下捕获。 而是使用1V/div 刻度。 此处可观察到7到8个脉冲:

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    尊敬的 Alexis:

    感谢波形。 我明天早上会回来的。

    谢谢!

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    尊敬的 Alexis:

    -查看 DRV 脉冲和 CS 波形、似乎主开关 FET 没有完全导通。

    -我看一下您的 FET ,STP3N150是1500V、2.5A、6欧姆,总栅极电荷为29.3nC。 您为何需要具有如此高 VDS 电压和栅极电荷的 FET? FET 的大栅极电荷不会让 IC 的栅极驱动器 完全开启。 这反映在您的5V 脉冲中(应为10V 或更高)、栅源电容器(Cgs)非常大、无法提供栅源电压并且不能完全导通 FET、 这将导致从 VS 引脚拉出低电流、并且不会让器件启动。 您的输入电压(原理图中的 HV)是多少? 您可以根据该电压选择 FET 的 VDS 电压。  

    如果您不确定如何选择 FET、我建议使用设计计算器电子表格、您只需输入所需的所有参数、例如输入电压范围、输出电压范围、开关频率等(请参阅下面的示例和链接)。 如果您对计算器有任何疑问、敬请告知。

    谢谢你。

    设计计算器: UCC28740设计计算器

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    感谢您的回复。


    我最初使用的是建议使用 IPD80R1K0CEBTMA1的设计工具。
    根据设计要求、我们可以得到565-600 VDC 的输入电压。 由于反激式变压器 Toff 产生的电压、建议的 FET 正确的晶体管 VDS 电压应为700V、这是正常情况。 但考虑到变压器的构建质量以及线圈耦合通常不是100%、因此仅具有100V 的裕度似乎不是安全的选择。
    否则、我必须从1000 VGS 或更高版本的 FET 中进行选择、在本例中、STP3N150是我可用的 FET。
    另外、查看 IPD80R1K0CEBTMA1的规格表、您可以看到栅极电荷为31nC、超过了 STP3N150。

    不同之处是 IPD80R1K0CEBTMA1的电阻较低、为0.95欧姆、VGSon 为3V。 这些差异是否有助于我从该 FET 开始?

    总之、事实是、通过执行一些技巧我成功启动了电路、但并未自动启动。 我认为、一旦电路启动、集成式或 FET 具有足够的电荷、能够在电路启动后维持自身运行。

    我知道更换 FET 可以解决这个问题、但我不明白查看数据表是什么是选择 FET 的最低要求。


    总之、在电路的电流电平下、我无法执行任何操作来允许 FET 加载而不必更改它?

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    尊敬的 Alexis:

    -数据表没有显示如何选择 FET ,因为它专注于 IC 的数据。

    一个快速的选择标准是 VDS > VINmax+(Vout+Vout)*NP/NS VF。 其中 VF 是次级二极管的正向电压、NP 初级匝数和 NS 变压器次级匝数。

    -我建议使用设计计算器(上面),它为 MOSFETR 开关提供了一个部分。

    -如果 FET 未更新,则器件不会打开。

    谢谢!

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    是的、这是我使用的主要选择方法之一、但看起来也有重要的参数需要选择。
    我更改了 FET、因为一个 FET 具有更小的 Rdson、更低的栅极电荷和更低的阈值电压、现在电路开始正常、工作正常。 这可以解决我的问题。

    感谢您的回复