[参考译文] BQ25731：低侧 MOSFET 漏极栅极短路时发生故障

您好、Leandro：

我看到 COMP2补偿与数据表第9.3.12节建议的不完全相同。 此外、根据 此处的原理图检查清单、应从 Q11的漏极获取 VBUS 电源。

除此之外、请共享寄存器映射、以便查找其他问题。

另外、Q14故障有什么含义？  

此致、

穆尼尔

您好、Munir、

当我在未连接电池的情况下设置 ChargeVoltage 时

- Q14栅极和漏极之间短路。 SW1引脚对 GND 短路。

"应从 Q11的漏极获取 VBUS 电源"。 我怎样才能避免这种情况的发生、因为我使用输入电压来打开/关闭充电器输出？

e2e.ti.com/.../SMAAI-Power-Management.pdf

您好、Leandro：

如果 SW1接地、这意味着转换器由于某种故障而未进行开关。 请捕获寄存器映射(所有寄存器的值)并在此处附加。 如果它未显示任何故障、我们需要查看示波器捕获以找到问题。 我猜测充电器处于 SYSOVP 故障状态、因为 CELL_BATPRESZ ~24%、但您可能会将 ChargeVoltage 设置得更高。

您能否详细说明包含 Q7、Q8、Q9和 Q10的电路的功能？

VBUS 电源应该从 Q11的漏极获取、也就是说、我简单地说是 检查清单建议的这个连接。 但是、您使用它的方式并不错误。  

此致、

穆尼尔

尊敬的 Munir、我使用了 TIDMAR6作为参考。

Q7和 Q8是 ORing 电路,BQ25731只用于给电池充电。

Q9用于将400mA 从电池消耗 到容量 测试。

谢谢！

你好、Munir、我把转储寄存器的另一个板交给你了。

带 SW1的电路板短接至 GND、不再响应 i2c 命令、VDDA 处于1.8V。

我想知道如何防止 MOSFET 像这样燃烧、因为在两个电路板中、低侧 MOSFET 出现故障、一个电路板 SW1引脚连接到 GND、bq25731无法工作。

可能是我在没有电池的情况下进行的测试可能会有问题。 主电源为15V、我将  CELL_BATPRESZ 设置 为接近 VDDA 的80%、我预计 VBAT 上具有16.8V 电压、但我仅为15.9V。

我将更改 CELL_BATPRESZ、以便在不使用电池的情况下以及电池为 VDDA 的50%时从0%开始。 通过软件、我将 ChargeVoltage 设置为14.4V、以仅在降压模式下充电。

我认为选择更好的 MOSFET 并这样做可以解决我的设计问题。

我喜欢一些评论。

感谢演示

此致

莱安德罗  

您好、Leandro：

如果没有电池、则  应将 CELL_BATPRESZ 下拉至接地。 但是、将其保留在 VDDA 的50%范围内并且在没有电池的情况下进行测试不会烧毁 MOSFET。  

选择合适的 MOSFET 将解决该问题。 您可以在 TIDMAR6 参考设计中选择 MOSFET。

此致、

穆尼尔