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[参考译文] CSD88539ND：SPICE 模型 CSD88539NDT

admin
Guru**** 2380390 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD88539ND
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1324059/csd88539nd-spice-model-csd88539ndt

器件型号：CSD88539ND

大家好、

我正在进行 Cadence PSpice 仿真、以检查1A 的 VDS 压降和其他设计 参数、我正在寻找一个 SPICE 模型来纳入我的设计。 在线查看后、我没有看到此器件的模型、我的仿真器也没有。   TI 是否可以为此 N 通道 MOSFET 发布一个模型(CSD88539NDT). 提前感谢您的参与。

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    TI__Guru**** 2380390 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Bob Wagner、

    感谢您关注 TI FET。 TI 网站的 CSD88539ND 产品文件夹中提供了一个未加密的 PSpice 模型。 单击"设计和开发"、您将在"设计工具和仿真"选项卡下找到该模型。 您也可以通过以下链接下载它。

    https://www.ti.com/lit/zip/slpm110

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 2380390 points
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    您好、John、非常感谢您为获取模型所提供的帮助。 仿真时、我注意到的一点是漏极到 源极的压降比预期的要大得多。 我申请的 Vgs 为10Vdc、大约 ID 为1A。 根据数据表、我预期大约0.02V 的小 Vds。 得到的电压大约为2V。 我正在查看图 ID 与 VDS 的数据表中、4、2、显示了这些条件下的较小 VDS。 是否未能理解数据表？ 再次提前感谢您的帮助。  

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    TI__Guru**** 2380390 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John：

    我找到了问题,模型很好。 我的负载没有位于 FET 的正确一侧、因此 FET 驱动没有我最初想的那么高。 感谢您的帮助和耐心。