您好!
我正在设计一个测试设置、以观察 IGBT 模块的半桥配置中受米勒电容影响的电压脉冲。 根据附图1、我正在以-10V 至+15V 的栅极信号切换顶部 IGBT、并测量期待电压尖峰的下部 IGBT 的栅极电压。 我正在使用的 IGBT 是一款 额定电流为150A (ICM)的三相1200V、75A (型号:SKM75GB12V)、电感负载为354uH。 我对顶部 IGBT 栅极 电阻器使用了1.2欧姆的电阻器、对底部 IGBT 栅极电阻器使用了22欧姆的电阻器。
测量按照以下说明进行。
1.顶部 IGBT 的栅极信号-差分探头(黄色曲线)
2.在-DC - Rogowski 线圈中测量的负载电流(红色曲线)
3.栅极电压底部 IGBT -无源探头(绿色曲线),使用铁氧体磁芯过滤共模干扰。
此配置的续流电流约为35A。谨随函附上第二个脉冲上升的特写图。 我尽力在设置中消除干扰。
绿色曲线所示为电压上升吗? 还是仍然有一些噪声? 我还可以尝试其他方法吗? 有人能帮我解决这个问题吗?
如果您需要更多信息、请告诉我。
双脉冲测试设置
图像、测量的电压尖峰显示为绿色、二极管电流显示为红色、顶部 IGBT 栅极信号显示为黄色。
图像:测得的发射极-发射极电压为绿色(观察下 IGBT 发射极端子的反弹)、 二极管电流为红色、顶部 IGBT 栅极信号为黄色。
谢谢!
Lahiru Ambegoda.