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器件型号：BQ40Z80 您好、TI 团队：
我们尝试将基于 BQ40Z80的 BMS 与 BUK9Y1R3-40HX MOSFET 搭配使用、以实现短路保护。
延迟时间有问题。 延迟时间 SCD1和 SCD2设置为0微秒、但实际延迟时间为 数百微秒。
下图显示了 SRN-SRP 电压(黄线)增大后 DSG 电压(蓝线)如何下降。
从图中可以看出、SRN-SRP 电压上升后的大约100微秒内、DSG 电压甚至都不会尝试变化。 之后、由于 MOSFET 的栅极-源极容量、DSG 电压不会急剧下降、而是缓慢下降。 这里有两个问题：
1.是否有办法可以缩短从 SRN-SRP 电压阈值到 DSG 电压关闭的时间？
2.建议使用哪种 MOSFET 驱动器来强制栅源容量放电？
延迟时间对我们来说非常重要、因为延迟时间过长会导致 MOSFET 烧毁。
