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[参考译文] LM5148-Q1:LM5148-Q1有效

Guru**** 1774980 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5148-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1323779/lm5148-q1-lm5148-q1-working

器件型号:LM5148-Q1

大家好、

我一直在尝试使用 LM5148-Q1 IC 构建降压转换器。 我已经做了所有的计算,并试图处理所面临的任何困难。 仍然只有一个问题、我一直无法确定它为什么会发生、以及如何克服它。

问题是、当我观察高侧栅极至源极电压时、电压正在上升至某个值(例如4V)、然后再次降低到某个电压(例如<2V)、然后电压从该电压再次上升并达到 VGS 额定电压。 因此、我通过添加栅极电阻器、缓冲器以及尝试更改 CBoot 电容器来克服这个问题、但没有看到任何差异。 因此、我想参考方框图以了解 IC 的正常运行、即 IC 如何准确地导通和关断 MOSFET、如果有任何瞬态、哪些因素会影响 IC、以及这些因素如何影响开关 (打开和关闭时间)。

如您所见、我突出显示了 DIP 发生位置部分、在低侧 MOSFET 中观察不到相同的行为。

因此、只需解释控制环路如何准确发生开关、包括有源死区时间功能。

谢谢、此致

Mahankali Nikhilindu Kasyap

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好  Mahankali:

    一旦 处于安全水平、该器件会在下降沿查看相应的栅极驱动电压、其中 会给出开启互补 FET 的命令。   我怀疑更高的输入电压会使情况变得更糟。  我附上了一篇文章、该文章介绍了这一问题、该问题称为 dV/DT 抗扰性 ot dV/DT 击穿。  基本上、 当 HS MOSFET 导通时、电流通过 LS MOSFET 的 CRSS 注入、从而再次将其搭接回来。  

    https://www.ti.com/lit/ml/slua618a/slua618a.pdf?ts = 17077450519443&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    我会首先在 HS MOSFET 中尝试使用栅极电阻器。  如果您无法控制这个问题、请查看您的布局、栅极驱动器布线必须与其 各自的返回路径进行差分布线、GND 平面是 LS FET 栅极上的返回。  另外还可以将该电路放置在 MOSFET 的栅极旁边。  该电路 使用肖特基 和小信号 PNP 来钳制低电压。   

    您还可以尝试在 LS MOSFET 的栅极和源极之间放置10k Ω 电阻、以帮助对 LS MOSFET 的栅极放电、这可能在轻度情况下有所帮助。  此外、 从 QGD/QGS 比率可以看出、与 QGS 相比、QGD 较低 。  更改为具有更好比率的 LSFET。   

    希望这对您有所帮助。

    大卫。