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[参考译文] LM25145：MOSFET 要求

admin
Guru**** 1828310 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18513Q5A, LM5145
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1323749/lm25145-mosfet-requirements

器件型号：LM25145
主题中讨论的其他器件：CSD18513Q5A、 LM5145

我无法理解为什么高侧和低侧需要使用不同的 MOSFET。

1.所有的应用示例和 webench 配置都在低侧和高侧使用了不同但非常相似的 MOSFET、这是为什么呢？

2.对于 BOM 整合和成本、我想将 CSD18513Q5A 用于高侧和低侧开关、这样可以吗？

部件将用于两种应用：

9-22V 输入、3.3V 15A 输出

9-22V 输入、5V 20A 输出

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    TI__Guru**** 1828310 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Terry、

    对于占空比较低的应用、建议使用不同的 MOSFET、这是因为具有 低占空比的 HS MOSFET 可以牺牲 Rdson 来实现较低的栅极电荷、HS MOSFET 中较低的栅极电荷将实现较低的开关损耗。  对于具有低占空比的 LS MOSFET、将导致 LS MOSFET 在开关周期中的大部分时间处于导通状态、这意味着牺牲栅极电荷来实现低 Rdson。  此外、LS MOSFET 实际上是零电压开关器件、没有与 HS MOSFET 发生的开关损耗相同、建议遵循 WEBENCH 指南以实现超高效率。

    您还可以利用 LM5145产品文件夹中的计算器并在其中添加 MOSFET 参数、以了解 MOSFET 选择对效率的影响。

    LM5145DESIGN-CALC 计算工具| TI.com

    希望这对您有所帮助。

    大卫。