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[参考译文] BQ25616:电路无输出电压

Guru**** 1637200 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25616, TPS61027, BQ25616EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1319647/bq25616-no-output-voltage-from-the-circuit

器件型号:BQ25616
主题中讨论的其他器件:CSDTPS61027

尊敬的 TI 社区:

我有一个充电电路、我正在尝试确定为什么没有电压输出。 随附的示意图如下:

奇怪的是、该电路确实会汲取我从电源观察到的电流、该电流将5.1V 馈送到 VAC 线路。 汲取的电流为0.022A。 我测量了 VBUS 电压、它也是5.1V。 不过、ACDRV 电压为16V、上拉电压为0.69V。 输出电压(J5)未显示任何电压。

如果有人能给我一个关于如何解决这个问题的见解、我会很感激。  

谢谢!

科伊

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    您好,Khoi,

    我有几个问题。 您能否捕获 VBUS、SW、SYS 和 BAT 的波形? 是否已通过下拉 JP17启用充电? JP4是否介于1和2之间? ILIM 和 ICHG 下拉电阻器在哪里?

    此致、

    迈克·伊曼纽尔

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    Michael、您好!

    感谢您的跟进消息。 JP17在下拉时启用 CE、因此连接下。 JP4介于1和2之间。 ICHG 连接到226Ohm 电阻器接地、ILIM 连接到160Ohm 电阻器接地。

    VBUS:直流5.01V

    SW:平均值580-617mV (请参见下面的波形)

    SYS:平均值579-617 mV  (请参阅下面的波形)

    垂直增量为1s、因此波动周期为1Hz

    BAT:直流0V

    谢谢!

    科伊

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    尊敬的 Khoi,

    PG 和 STAT 引脚目前正在做什么? 如果施加快速充电电池电压、会出现什么情况?

    此致、

    迈克·伊曼纽尔

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    尊敬的 Mike:

    STAT 也会像上述示波器屏幕截图那样脉动、PG 会恒定在大约600mV

    上面是 STAT 波形:每秒有一条大约580mV 的平坦线、具有周期性

    以上是 PG 行。

    我不熟悉如何申请快速充电。 您能告诉我可以在哪里查找吗?

    谢谢!

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    尊敬的 Khoi,

    报告的行为不正常。 根据 PG 显示输入不正确。 前面的 SW 节点也不正确。 SW 和 SYS 是相同的这一事实表明器件未在切换。 您能否检查输入连接、看看它是否能够提供适当的功率量?

    此致、

    迈克·伊曼纽尔

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    尊敬的 Mike:  

    输入电压显示为5.3V、消耗的电流为20 mA。 我认为电源能够正常工作。

    我想知道 CSD17571的用途是什么?

    我可以尝试更换 CSD17571 FET、看看会发生什么情况。

    谢谢!

    科伊莱

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    尊敬的 Khoi,

    测量 VBUS 时、是在 Q1 (VAC)之前还是 Q1 (VBUS)之后进行测量? 是否已尝试更换设备? 您是否有可以参考的 TI EVM? 与 EVM 相比、您的布局如何? 期待您的答复。

    此致、

    迈克·伊曼纽尔

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    尊敬的 Mike:

    我在 Q1之后测量了 VBUS。 我将尽快更换设备、以查看发生的情况。 我有 TI EVM 模型供参考。  

    1.我使用了一个全新的 PCB、然后放置了两个组件:CSD MOSFET 和 BQ25916。 我看到 VBUS 的电压为4V、ACDRV 的电压为10V、给定的输入电压为5V。

    这是否正常?

    2.根据 EVM 的建议,我在 STAT 和 PG 中使用的电阻是2.2k Ω 的电阻器,电阻是2.21k Ω 的电阻器,可以吗?

    3.我注意到 EVM 模块上的 C2和 C4具有非常大的额定电压。 有什么特殊原因吗? 我使用了16V 额定值、应该可以、对吧?

    3. STAT 和 PG 引脚将灌入电流、正确吗?

    4、我理解这是不寻常的,希望不会伤害到问。 我可以向您分享我的 Altium 原理图和 PCB 文件吗?

    谢谢!

    科伊

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    尊敬的 Khoi,

    ACDRV 在比 VBUS 高6V 时正确、但输入 ACFET 下降1V 没有意义。 这是不正常的行为。

    2.这应该是好的,有足够的容忍。

    如数据表所述、当 PG 和 STAT 开漏 FET 导通时、它们将灌入电流。

    4.那会很有帮助,请继续。

    此致、

    迈克·伊曼纽尔

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    尊敬的 Mike:

    当我测量 EVM 模块的 ACDRV 时、电压与我原始电路板的电压相同、电路板的信号如示波器所示。 电压为16V。对于带有两个组件的全新电路板、电压仅为10V。可能是我不知道存在 PCB 制造错误吗?

    4.我已将原理图和 PCB 文档附在此处。 我知道我的电路板可能不符合标准 PCB 设计规则、这可能是问题的根源、因此我希望向您学习如何改进它。 还有其他元件:TPS61027将低电压源升压到5V、然后馈送到 BQ25616中。 其余组件仅为电压和电流监控器。  

    感谢您提供的帮助我评估 PCB 设计。

    科伊

    e2e.ti.com/.../Charging_5F00_System.SchDoce2e.ti.com/.../Charging_5F00_System.PcbDoc

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    尊敬的 Khoi,

    我的布局审核如下:  

    1. VBUS 电容根本不靠近 IC。  

    2. PMID 电容可放置在离 IC 很近的位置。

    3. REGN 电容器可以明显靠近 IC 放置。  

    4. BTST 电容迹线本身加倍、可能会显著缩短长度。

    5. SW 走线太小。

    6.从电感器输出到 SYS 节点的连接通过一条非常窄的布线、更不用说 SYS 的去耦电容器不在引脚附近。

    7.芯片上没有坚固的 GND 连接。

    8. BAT 电容器可以放置在更靠近芯片的地方。

    请查看《BQ25616EVM 布局》作为指南。

    解决这些问题应该可以改善器件的行为。

    此致、

    迈克·伊曼纽尔

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    非常感谢您为 Mike 提供的帮助。 我将按照您的指南制作新的 PCB。 我希望它能解决我的问题。

    此致、

    科伊