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器件型号：TPS65911 您好！
从 TPS65911数据表中、有三个参数标记如下图所示、来自 TPS65911参考设计电路、负载晶体振荡器的值为22pF、如下图所示。
您能否告诉我、为什么在参考设计电路中没有晶体串联电阻器和晶体负载电容器？ 为什么 负载晶体振荡器的值为22pF？
谢谢。
您好、Conner、
感谢您的信息。
从视频中、我 得到了一个公式作为画面： 
从晶体数据表中可以 看出、CL=12.5pF、因此当2pF<Cstray <5pF 时、20pF<C1=c2<23pF<C1=c2<23pF C1和 C2值范围是否正确？
问题是晶体温度系数是否为-0.04ppm/C*C,工作温度范围是5C~40C,如何计算晶体频率容差?
额外的、C1、C2电容是否会影响晶体精度？ 除了晶体精度本身、其他哪些因素会影响晶体的工作精度？
谢谢。
