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[参考译文] LM5066I：栅极-拉电流(20uA)是否足以快速启用栅极 MOSFET？

admin
Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5066I
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1321707/lm5066i-is-the-gate-source-current-20ua-is-sufficient-to-enable-the-gate-mosfet-rapidly

器件型号：LM5066I

您好！

我在尝试计算应用报告《 稳健的热插拔设计(修订版 A)》(TI.com)中所选 MOSFET 栅极的开关时间时、并基于栅源电流(典型值20uA) 对于 LM5066I、我得到了5.55ms 的开关时间值(基于 MOSFET 数据表)、而应用报告中计算出的故障时间等于5.2ms！

所以,我的问题是这个逻辑?! 栅极拉电流的值(典型值20uA) 是否足以快速启用 MOSFET 栅极？ 如果没有，解决这个问题的办法是什么？

此致、

Zakaria CHMEIT,  

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    尊敬的  Zakaria：

    欢迎使用 E2E！

    您能分享一下 MOSFET 器件

    此致、

    勒凯什

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    您好、Rakesh、

    感谢您对我的问题感兴趣。

    应用报告中使用的 MOSFET 器件型号为： PSMN4R8-100BSE。

    此致、

    扎卡里亚·切梅特

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    尊敬的  Zakaria：

    热插拔控制器不用于快速开启。 因此、栅极驱动强度较低(20μA)。 我们需要调整故障计时器持续时间、使故障计时器持续时间大于启动时间。 请填写设计计算器以定义故障计时器持续时间。

    www.ti.com/.../SLVC577

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    您好！

    正如您在随附的中所看到的、我在报告应用程序中使用相同的参数和特性填写了设计计算器(已在设计计算器中填写)、然后我们获得了一个5.2ms 的故障计时器、而 MOSFET 大约需要5.5ms 才能开启 (没有很好的裕度？)。

    e2e.ti.com/.../Enregistrement-2024_2D00_02_2D00_06-094720.mp4

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    请与我共享该 Excel 工作表。  

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    e2e.ti.com/.../Copie-de-LM5066I_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.XLSX

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    TI__Guru**** 2387830 points
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    可以将计时器电容器的值增加到120nF。 这将导致6.2ms 的故障计时器持续时间、比您计算出的5.5ms 的启动时间要长。 增大故障计时器电容值没有危害。