[参考译文] TPS65911：晶体振荡器设计

您好、Matt、

感谢您的信息、  

我们采用的晶振是 EPSON 的 FC-135型、我从晶振数据表中了解到、以下是一些参数(在快速存储的情况下、晶振数据表)：

我们的初始设计如下图所示、我们使用12pF 电容器和5.1M 电阻器作为晶体外设。

您告诉我如何 根据您提到的5.10表选择最大晶体串联电阻、晶体负载电容和负载晶体振荡器？

谢谢。

e2e.ti.com/.../CDS_2D00_453564280221_2D00_2.pdf

您好、Gillette：

感谢您的信息。 Quesriones 需要您的支持:

 从晶体数据表中、有动态电阻 R1、动态电容 C1和分流电容 C0、您能告诉我这些元件的使用位置以及如何选择 R1、C1、C0 值以保持晶体高频率精度吗？

2.我发现  晶体推荐设计和 TPS65911基准设计有不同之处，您能告诉我可以遵循哪一种设计以及如何选择电路电容和电阻值吗？

尊敬的 Chambin：

您可以联系晶体供应商、了解有关其晶体数据表和组件选择的问题。 很遗憾、我们不熟悉此器件。

此致、

马特

您好、Matt、

从 TPS65911的 th 5.10到25pF 的负载晶体振荡器范围为12pF 到25pF、参考线缆使用22pF、您能告诉我为什么为这两个电容器选择这个值吗？

谢谢。

您好、Conner、

感谢您的信息。

我不知道图12中的内容、您能为我提供更直接和清晰的晶体电容器选择说明或方法吗？

谢谢