[参考译文] LM5051：在两个并联电路中使用一个 LM5051 +两个 FET、还是使用一个 LM5051 +一个 FET？

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器件型号：LM5051

您好！

这是"相关问题"的延续。

我正在考虑使用之前介绍过的 LM5051。预计外部 FET 的 VDS 将被调节至45mV (典型值)。在这种情况下、外部 FET 损耗预计为17W、因为它将处理大约19A 的负载电流。那么、可以在两个并联电路中使用一个 LM5051 +两个 FET、还是在两个并联电路中使用一个 LM5051 +一个 FET？在这种情况下需要注意的要点、哪种方法是合适的？另外、如果您有任何其他推荐的配置、请告诉我。

谢谢。

科诺

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2503715 points

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您好，Conor

外部 FET 损耗可以通过(I^2)(Rdson)计算、因为在19A 时、理想情况下 FET 应完全增强。但要估计考虑45mV 的压降，功耗可以是 I*V=19A*45mV=855mW。

此外、

您提到的两种配置具有不同的应用。 1*(一个控制器+两个 FET)将具有更高的电流能力、而2*(一个控制器+一个 FET)将用作 ORing。负载将不会在第二个配置中共享。

我希望这可以回答您的问题。

此致

S·迪尔

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2503715 points

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尊敬的 Shiven：

2*(一个控制器+一个 FET) OR-ing 电路不共享电流。因此、如果您担心 FET 损耗导致的发热问题、我们建议采用1*(一个控制器+两个 FET)配置。
上述理解是否正确？

此外、如果 FET 由于大电流而发热、是否有任何其他推荐的配置？

谢谢。

科诺

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2503715 points

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尊敬的 Conor：

FET 不应在理想情况下发热、因为功耗仅约为900mW。但如果发热是个问题、可以并联 MOSFET。是的、理解是正确的。

如果 FET 因大电流而发热、则可以并联更多 FET。这只是一个起点。

此致、

S·迪尔

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