[参考译文] TPS543B20：输出端漏电无法上电

尊敬的 Oliver：  

在布局中没有什么突出的地方。 我认为、大输出电容会带来稳定性问题。 您能否确保此应用的有效输出电容小于1000uF。 如果该值较高、请相应地减小输出电容。 请告诉我这是否解决了问题。 请记住、可能仍然需要前馈电容器。

此致、

布里顿

尊敬的 Oliver、Boyan：

我们认为、这个问题仍然与早期高侧 FET 过流 故障有关、尽管   移除铁氧体磁珠后 VDD 和 VIN 的信号更接近(请参阅 上一主题)。 预偏置输出电压会将自举电容器上的电势差降至3.6V、并且高侧 FET Vgs 会相应降低。 Vgs 较低时、高侧 FET 的 Rdson 增加到 高于规定的数据表值、 最终导致高侧过流保护比预期更早跳闸。 在数据表 Rdson 下提供了预期的5V Vgs。

以下是一些建议、可帮助降低出现此问题的可能性：

1.通过将 VDD VDD 引脚短接至靠近的 VIN 布线、而不是短接在输入电容器的前面、来降低 IC 和 VIN 之间的任何电势差。 去除铁氧体磁珠在这里有很大帮助、但作为最佳实践-这是我们推荐的方法。

2.通过降低启动电阻和电容来缩短启动电容的充电时间。 为了最大程度地降低这种风险、请注意 SW 节点振铃会增大。 为防止 FET 损坏、务必检查 SW 节点振铃是否不接近 SW 最大电压(24V)。 我建议分别为启动电阻器和电容器使用1Ω 和47nF。

3.另一种更快速地为启动电容器充电的权变措施是在 BP 引脚和启动电容器的端子1之间连接一个二极管。

要回答 剩余的问题：

1.见以上说明。  我们看到"多种断续模式然后成功启动行为"的一个可能原因是、自举电容器在每次尝试期间缓慢累积足够的电荷、使其最终能够正常启动。

2.预偏置输出启动过程与典型启动过程并无显著差异。 无论是否存在预偏置输出电压、SS 都会以相同的速率升高基准电压。 当预偏置电压足够大 、以致高侧 FET 的 Rdson 受到显著影响时、就会出现该问题。  

3. 为何 SS 时间影响 这一点 - 软启动时间决定了斜坡速率 dV/dt。 为输出电容器充电的电流由 C * dV/dt 关系决定。 随着软启动时间的增加、斜坡速率会降低、通过 HS FET 的电流也会相应地减少。 在电流较小的情况下、转换器可以在检测到故障之前承受更高的 Rdson。 因此、可以容忍较低的 BOOT-SW 电压(较高的预偏置电压)。

此致、

布里顿

Boyan、

1.数据表中没有说明这种行为。 如果输出电压高于1.5V、则引导电容器上的电压 会降低。 随着引导电容器上的电压降低、高侧栅极上的电压会相应地降低、因此其 Rdson 会增加。 数据表中未对该行为进行说明、但该行为是高侧 FET 的预期行为。 如上所述、数据表仅提供 Vgs 预期为5V 的典型 Rdson 值。

2.第8.4.1节中描述的 SS 行为对于所有应用程序都是相同的。 预偏置第8.4.5节介绍了启动行为的变化、但这与 SW 有关、而与 SS 斜坡无关。  

数据表中没有具体说明 客户问题的报价。 通过 利用 我们对自举电容器和高侧 FET 的理解 、我们 得出一个结论：问题是高侧过流故障。 故障检测是不可接受的、客户应按照上述方法解决问题。  

此致、

布里顿