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[参考译文] BQ25672:- VSYS 上的原理图审查和瞬态

Guru**** 2539500 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1317918/bq25672---schematic-review-and-transient-on-vsys

器件型号:BQ25672

你好

我希望 TI 可以查看以下原理图部分、并指出任何间接访问或改进。

我们注意到一个导致 LDO 下游问题的问题。

当向 Solar IN/J4施加12伏电压时、我们在 VSYS 上看到~10V 的瞬态、VSYS 是一个由 SYS 供电的高侧开关。  瞬态在 SYS/VSYS 上并且电池处于电路中。

感谢您查看本视频和任何建议。

此致

杰夫·金

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jeff:

    我唯一可能遇到的问题是 ILIM_HIZ = REGN、它会将充电器输入电流限制(非充电电流)设置为最大值。  主机可以通过设置 EN_ILIM 位= 0、然后写入 IINDPM 寄存器来将此更改为较低的值。  默认情况下、充电电流为1A、但也可以通过 I2C 寄存器写入充电电流寄存器来全部更改。

    我不知道为什么 SYS 上会有10V 的瞬态、因为 SYS 不应该远高于4.2V。  您能否提供发生这种情况时 SYS、BAT、VBUS 和 SW1的示波器图?

    此致、

    杰夫