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[参考译文] TPSF12C1:TPSF12C1仿真

Guru**** 1637200 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSF12C1, TPSF12C1-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1317988/tpsf12c1-simulation-of-tpsf12c1

器件型号:TPSF12C1

您好!

我认为这是提摩太·黑格蒂的问题。 我正在尝试在更真实的电路中对 TPSF12C1 (TPSF12C1-Q1单相 AEF circuit.sxsch)使用 SIMPLIS 模型、其中包括 LISN、线路阻抗和 PFC 级、但该 IC 不起作用。 很遗憾、我无法将仿真文件附加到此消息中。 它看起来像是对 Vdd 饱和的 IC 电压。 但 Vdd 的增加没有任何帮助。 我使用的是原始电路的所有组件。 当我调查你的原始文件,它也显示出奇怪的行为。 当我在线路和 Csen1和 Csen2之间放置电压控制电压源时(E2启用,R1和 R2禁用),即使所有信号都与原始电路完全相同(E2禁用,R1和 R2启用),此 IC 也不起作用,请参见下面的 pic。 您能帮助解决这个问题吗? 也可以为这个 IC 的 PSPICE 加密模型与 Simetrix 一起工作吗?

此致。

列夫

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    尊敬的 Lev:

    上面的原理图中连接的 VCVS 不允许注入电流。 此外、根据通过电容器 CSW 施加的 CM 激励(VSW)设置 CM 噪声源电流的幅度、滤波器中心节点(由 AEF 电路检测的扼流圈之间)处的 CM 电压干扰可能过高、 因此、从大信号的角度导致 INJ 引脚电压饱和。 您可以使用 TPSF12C1/3快速入门计算器检查这一点-只需确保输入正确的扼流圈参数。 此外、请在仿真中查看时域波形。

    我附加了一个50uH LISN 文件、下面显示了一些结果。 该文件具有更简单的扼流圈模型、它对应于我们单相滤波器 EVM 中的 Wurth 2mH 扼流圈。 三个串联 RL 级通常足以针对纳米晶扼流圈的阻抗曲线获得满意的行为模型。 请注意、该设计中的 CSW 仅为20pF、因为借助2.2nF 稳压器侧 Y-cap、滤波的第一级受到一定程度的限制。 将这些 Y-cap 从2.2nF 增大到4.7-10nF (同时仍满足触控电流规格)、以减少 AEF 电路检测到的 CM 干扰、尤其是在开关频率小于100kHz 时。

    PS:请注意、您可以使用"Plot"->"Fourier..." 菜单来获取 LISN 电压的傅里叶结果、例如启用/禁用 AEF。 我将持续时间从正常50µs 增加到250µs、以获得更高的分辨率傅里叶结果、因此仿真运行时间会稍长。

    此致、

    时间

    e2e.ti.com/.../TPSF12C1EVM_2D00_FILTER-AEF-circuit-with-LISN.sxsch

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    尊敬的 Tim:

    非常感谢你这么快的回应! 您发送给我的电路包含了更多有用的信息。 这正是我要做的:测量 LISN 的傅里叶结果。 但是、当我在启用/禁用 AEF 的情况下运行您的电路时、我没有看到任何差异。 这是因为 LISN 的中点必须连接到地球。 当我这样做的时候、一切都正常。 AEF 降噪高达45dB。 我建议的下一步是将 PFC 输出级连接到此电路。 我相信您的客户会喜欢这种方式。

    此致、

    列夫

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    谢谢、Leve。 我还将添加 PFC 级。

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    谢谢 Tim。 如果可能、您能否在添加 PFC 时告诉我。

    此致。 列夫

    lev.nemets@setec.com.au

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    谢谢、Leve。 有可用资源时我会通知您。 您是否使用图腾柱 PFC 拓扑? 功率级别是多少、交错相位有多少?

    此致、

    时间

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    尊敬的 Tim:

    由于我们目前所有的产品功率都低于1kW、因此我们目前使用单相 CCM PFC 和交错式 CrCM PFC。 但我关于有源滤波器的问题是一个一般性问题。 我希望您可以开发一个模拟电路、作为您的客户可以连接其 PFC 电路时应该具有三个连接器(线路、中性线和保护接地线)的模板。 我在电流电路中遇到的问题是、如果我连接 PFC 功率级而不是噪声源(VSW)、一切都正常。 但是、如果我通过桥接器将 PFC 级连接至实际电路、并通过 CSW 将 MOSFET 漏极连接至接地端来注入 CM 噪声、则 IC 不起作用

    此致

    列夫

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    谢谢、Leve。

    发送您的 SIMPLIS 文件、以便我可以查看。 请注意、PFC 级的 GND 通常不是机箱 GND (即 EMI 滤波器的 GND)。

    此致、

    时间

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    你好,我无法访问这些外部驱动器。 您应该能够将该文件拖动到消息窗口中以附加它。

    --

    时间

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    尊敬的 Tim:

    很抱歉遇到问题。 此网页不允许拖放 Simetrix 文件。 它只是显示下载过程、而消息窗口中没有显示任何内容。  我压缩了这两个文件、现在可以将其拖动到消息中。

    希望这一次它会起作用。

    此致、

    列夫

    e2e.ti.com/.../TPSF12C1_2D00_Q1-single_2D00_phase-AEF-circuit1_5F00_WithCCPFC4.zip

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    尊敬的 Lev:

    我编辑了发送的第一个 SIMPLIS 文件、以便升压直流/直流级从连接到 LISN 的120V 电源获取输入、并且开关节点以电容方式注入到 GND 节点、这在直观上对应于一种实际场景。 请注意、此处的开关节点具有高 dv/dt、因此注入电流尖峰、LISN 噪声电压等非常大。

    除了桥式整流器(我还没有尝试添加它)、这似乎就是您所要求的电路。 最终、我们可以添加 PFC 控制环路、并验证在整个交流线路周期内是否正常运行。

    e2e.ti.com/.../0181.TPSF12C1-for-TI-rev2.sxsch

    此致、

    时间

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    你好,我想我不小心删除了你的帖子,当我回复. 我很高兴听到您的文件在工作。 如果可能、请连接带有电桥整流器的型号。

    此致、

    时间

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    尊敬的 Lev:

    我对该文件做了一些小改动--见附件。 开关节点下降 dv/dt 仍然有点高、但可以通过 MOSFET 选择、缓冲器优化等来调整。

    e2e.ti.com/.../TPSF12C1EVM_2D00_FILTER-with-added-boost-stage.sxsch

    此致、

    时间

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    尊敬的 Lev:

    这里是一个更新的 SIMPLIS 文件、其中图腾柱(TTPL)设置在50%的占空比下运行开环、从而提供400V 的直流母线。 该文件提取 LISN 的总噪声中的 DM 和 CM 分量、并包括一个用于 DM 滤波的分立式电感器 L2 = 220uH、以及 X 电容器。

    e2e.ti.com/.../2768.TPSF12C1EVM_2D00_FILTER-with-TTPL-boost-stage.sxsch

    此致、

    时间

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    您好、Tim。 非常感谢您的帮助。 要完成此问题、E1_DM1的值应为0.5。 这是我的错。 此致。 列夫

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    尊敬的 Lev:

    实际上、VDM 的常见定义是 V1 - V2、只是电压差、而 VCM 是两种电压的平均值。 我认为它很好。

    此致、

    时间