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[参考译文] LM7480-Q1：LM74801-Q1

admin
Guru**** 1637200 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1316712/lm7480-q1-lm74801-q1

器件型号：LM7480-Q1
主题中讨论的其他器件：LM74800-Q1

您好！  

´re 在共漏极配置中使用 LM74801。 Dgate MOSFET 仅具有2、3m Ω、处于电流 APP。 低于5安培时、电池反向保护会由于(推测)电压干扰(EMI)而激活。 引脚 A 和 C 之间的额外电容带来的改善很小、但不能消除该问题。 是否可以采取其他措施来提高抗 EMI 的稳健性并避免 Dgate MOSFET 意外关断？

感谢您的帮助！！

此致 Thomas   

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    TI__Guru**** 1637200 points
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    尊敬的 Thomas：

    您在轻负载时看到的 DGATE 振荡是由线性栅极控制造成的。 请参阅以下 e2e 常见问题解答、

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    TI__Guru**** 1637200 points
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    您好 Praveen：  

    感谢您的快速回复。 LM74801-Q1不包含线性栅极控制。 栅极处于硬接通/关闭状态。  

    在轻负载条件下、正向电压甚至明显低于10mV。   

    我认为这个问题是由于  用于快速反向电流阻断的(A-C)阈值的小负电压、仅为–6.4 ...–1.3mV。

    轻负载下的正向电压仅为+1...10mV、因此由提供电路的 MOSFET 开关引起的小电压干扰会使 DGate 关闭。

    我是可以抑制 LM74801上的开关干扰、还是可以延迟 DGATE 开关？

    此致

    托马斯

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    TI__Guru**** 1637200 points
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    尊敬的 Thomas：

    您是对的！ LM74800-Q1具有线性栅极控制、而 LM74801-Q1具有仅基于比较器的反向电流阻断电路。 很抱歉过度查看您使用的是801。  

    您能否向我们提供有关 施加到 LM74801-Q1的电压干扰的更多信息？ 是标准测试吗？ 如果可用、请分享波形。