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[参考译文] BQ35100:EOS 模式-电池放电测试和参数配置

Guru**** 2533440 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ35100, BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1314068/bq35100-eos-mode---battery-draining-test-and-parameter-configuration

器件型号:BQ35100
主题中讨论的其他器件: BQSTUDIO

我通读了应用手册: 如何为 EOS 模式配置 BQ35100、并有几个问题需要您提供宝贵的意见:

  1. 如果我打算在最终应用中使用的电池已经存在于 bqSTUDIO 库中、是否仍然需要按照应用手册中所述对电池执行完全放电测试? 如果是、它能带来什么好处?
  2. 执行蓄电池放电测试的频率如何? 是否每个生产批次执行一次?
  3. 阅读论坛上与 BQ35100相关的帖子后、我知道如果唯一的期望是 EOS 警报、并且不需要 SOH 级别报告、则不需要在芯片中编程化合物 ID。 我的理解是否正确? 在这种情况下、是电池的完全放电、如查询编号 1个?
  4. 应用手册介绍了如何在连接到 MCU 的非易失性存储器上保存调节电阻和测量的阻抗。 由于缩放电阻是根据化合物 ID 测量的阻抗生成的、因此我认为该示例假设化合物 ID 已编程到芯片中。 我的理解是否正确? 应用手册未提及此步骤或要求。
  5. 此应用手册的第7节概述了配置 EOS 参数的过程。 对于  初始 EOS 学习所需的新电池 R 比例延迟参数的建议是明确的。 但是、我对  EOS 趋势检测参数有疑问。 20%的值不足以确定 EOS 事件、还是需要根据电池何时因个别情况而不可用来确定该值?
  6. 除了查询4中提到的两个参数之外、表7-2中是否还有任何其他参数需要由 MCU 设置?

此致、

阿沙雷

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Abshare、

    如果电池已经存在、您无需自行进行特性分析、如 TRM 中所述、在 EOS 模式中、SOH 可能不是很可靠、也可能不可用、因为某些电池只有在接近 EDV 时才具有平坦的电阻曲线。

    我假设电池耗电测试是从电芯收集 Ra 表值的过程、每个电池只需要执行一次、如果您更换电池、则需要再次运行它。

    正确、如果你只想在 EOS 模式中使用 EOS 警报功能(无 SOH%)、那么你就无需编辑一个化学 ID 并且无需自己进行任何特性描述(除非你想测试平均值以及它们何时将触发 EOS)。

    在此步骤中、应保存测量的 Z 和调节的 R 以用于分析、您无需已经对 CHEM ID 进行编程、因为如果您正在进行此表征、无论如何都会改写 CHEM ID Ra 表。

    在图6-1中您可以看到、随着趋势检测结果的升高、监测计越接近 EDV、监测计就会触发 EOS 警报、这取决于您的应用。 对于大多数应用来说、20%是安全的、因为如果设置得过低、可能会导致错误触发并产生噪声数据。  

    EOS 脉冲计数阈值也可以针对应用进行配置、通常应设置为您在电池寿命中预期总脉冲的50%左右。  

    此致、

    怀亚特·凯勒

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    尊敬的 Wyatt:

    感谢您提供迅速而详尽的答复。 这里还有一些与 EOS 警报主题相关的问题、请参阅我初始文章中的应用手册:

    1. 如果 EOS ALERT 是我所需的全部、则我既不需要对化学物质 ID 进行编程、也不需要放电实验中的 Ra 表值。 对吧?

    2. 我假设电池消耗测试是从电池收集 Ra 表值的过程,这只需要在每个电池执行一次,如果您更换电池,则需要再次运行它。

      我认为、更换电池是指更换具有不同容量或不同制造商的新电池型号。 对吧?

    3.  

      正确,如果您只需要 EOS 模式下的 EOS 警报功能(无 SOH%),那么您就不需要对 chem ID 进行编程,也不需要自行进行任何表征(除非您要测试平均值以及它们何时触发 EOS)。

      您在这里指的是哪些平均值? 这是触发 EOS 的同一电池类型的不同样品测得的阻抗的平均值吗?

    4.  

      在此步骤中,应保存测量的 Z 和缩放的 R 以供分析,您不需要已对 chem ID 进行编程,因为如果您进行此表征,您无论如何都会改写 chem ID Ra 表。

      不太明白这一点。 除非将化合物 ID 编程到电量监测计中、否则不会生成缩放的 R。 如果化学物质 ID 已编程到电量监测计中、则需要从电量监测计和图中提取缩放的 R/测量的 Z?

       

    5. 您能否详细说明一下"...set the resistance filters..."的含义 在您最近的回复中 这个论坛帖子?
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    您好、Abshare、

    1. 正确、对于仅 EOS 警报、您不需要化学 ID 或进行任何特性描述、除非您想要优化何时通过更改趋势检测百分比来触发 EOS 警报。
    2. 是的、这是正确的、我的意思是、如果您更换电池型号或制造商、而不是每个电池。
    3. 我的意思是用于检测 EOS 警报的移动平均值、您可以调整趋势检测百分比。
    4. 如果您自己生成表、那么上传 chem ID 无关紧要、您可以使用测量的 Z (Ra 表未对其进行调整)、这将是您的 Ra 表。
    5. 我认为这个值应该被校正、你需要调整 EOS 趋势侦测%、并不一定是电阻滤波器本身。

    此致、

    怀亚特·凯勒

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    感谢回答我之前的问题。 我有几个跟进问题。

    1. 您能否详细说明测量的 Z、缩放的 R 和 Ra 值之间的数学关系?
    2. 移动平均值函数在芯片内部实现。 对吧?
    3. 如果未对化合物 ID 进行编程、而我只是根据测得的 Z 使用 EOS 警报模式、是否仍然应用温度补偿或仅适用于 SOH 计算?

    此致、

    阿沙雷

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    您好、Abshare、

    测得的 Z 是通过估算 IR 压降得到的原始测量值。 Scaled R 使用 Ra 表和一些初始测量的 Z 值创建与 Ra 表更接近的缩放电阻。

    是的、两个移动平均值是在内部计算的。

    温度补偿不会应用于电阻估算、我们正在计算原始电阻值、并寻找 放电结束附近的"冰球棒"型行为、因此温度波动 不应触发 EOS 警报。

    此致、

    怀亚特·凯勒