[参考译文] UCC21542：MOSFET 驱动器持续烧坏

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1311019/ucc21542-mosfet-driver-continously-get-burnt

器件型号：UCC21542

您好！

我正在设计 PFC 隔行升压转换器、但具有连续 MOSFET 驱动器、MOSFET 和保险丝熔断功能。

我已经检查了电路以确定是否有任何问题、但我找不到任何问题。请有人指导和帮助我。

我想将整流230V 交流电压升压到400V 直流电压、以4%占空比驱动 MOSFET、以进行开环控制操作和 C2000 Launch Pad。

e2e.ti.com/.../diagram.rar

电路图的快照以 zip 文件形式包含。

我立即驱动 PWM、组件烧断、1A 保险丝也熔断。

谢谢

6 个月前

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1144180 points

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尊敬的 Abayomi：

感谢您关注我们的器件。

一些澄清问题以便更好地评估情况：

哪些部件被烧毁/损坏？
1A 保险丝位于何处？
您能共享布局吗？

期待听到后面的声音。

此致、

广木市

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1144180 points

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谢谢 Hiroki

附件为 hte 布局的副本

e2e.ti.com/.../diagram_5F00_2.rar

MOSFET 驱动器、MOSFET 和1A 保险丝受到影响。 MOSFET 将短路、MOSFET 驱动器损坏。

在连接了一个小负载的情况下对电路图进行了测试、现在进行的是开环测试。

谢谢

B·阿巴约米

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1144180 points

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尊敬的 Babatola：

感谢您的跟进！

是否是 MOSFET 变得过热？装置是否有带热膏的散热器？

您是否会碰巧有有助于缩小问题根源的波形？如果问题出在驱动电路周围、则栅极驱动器的输入、输出和电源波形有助于找出导致短路的原因。我主要只能评论栅极驱动器电路、但这可能与控制或转换器元件选择相关。希望尽快解决这个问题！

此致、

广木市

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1144180 points

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你好，本田，

感谢您的答复。

从您的回复来看、电路图似乎没问题。是这样吗？

一旦 C2000的 PWM 通过 MOSFET 驱动器驱动 MOSFET、元件就会立即烧坏。

我使用散热器、但没有散热、并且我有一个100W 的虚拟负载、4.7K 欧姆的虚拟负载。

我观察到了电路的波形、但似乎什么都没有。电路方框图已经反复地显示出来。

我期待您提供进一步的意见

谢谢。

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1144180 points

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尊敬的 Babatola：

设计经过精心考虑和精心制作。

我不知道栅极驱动器上的损坏类型。您能否测量器件引脚上的以下阻抗？

VDDA - OUTA (引脚16-15)
VDDA - VSSA (引脚16-14)
OUTA - VSSA (引脚15-14)
VDDB - OUTB (引脚11-10)
VDDB - VSSB (引脚11-9)
OUTB - VSSB (引脚10-9)

另外、如果可能、设置或电路板布局的图片也会非常有用。

感谢您的耐心和跟进！

我们期待听到您的声音、

广木市

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1144180 points

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您好！

感谢您的答复。

我完成了测量。具体如下：

       VDDA - OUTA (引脚16-15)        -150欧姆
      VDDA - VSSA (引脚16-14)         - 0.4欧姆
      OUTA - VSSA (引脚15-14)         -157欧姆
      VDDB - OUTB (引脚11-10)        - 1.3 Mohms
      VDDB - VSSB (引脚11-9)         - 1.4 Mohms
      OUTB - VSSB (引脚10-9)          -44欧姆

遗憾的是、我们尚未开发板。我们仍处于试验电路板阶段、在我们打印 PCB 之前尝试测试电路图。

目前仅使用了一个 mosfter 驱动程序通道。它是通道 A。

从数据表中可以看出 Rs 可以在10k Ω 到20k Ω 之间。我观察到14千欧无法在 MOSFET 上打开、但12千欧通向 MOSFET、并且保险丝已被烧断。 MOSFET 驱动器未烧坏。这是否有任何解释？

谢谢

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1144180 points

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您好！

您是否能够再次查看？

谢谢

0 admin 6 个月前

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尊敬的 Babatola：

很抱歉这么晚才回复！由于绿色的"已解决"按钮、该线程已关闭。

在试验电路板上、这里肯定会产生更多寄生效应。要尽可能缩短环路、一些最重要的区域是栅极环路、VDD 电源去耦环路和开关节点环路。这些环路对可能引入可能损坏驱动器的噪声的外来寄生电感非常敏感。

一个建议是尽量缩短您的设置中的导联、尤其是在重要节点中、以查看这些问题是否得到解决。

数据表中指出 Rs 可以在10千欧到20千欧之间。我观察到14千欧无法在 MOSFET 上打开、但12千欧通向 MOSFET、并且保险丝已被烧断。 MOSFET 驱动器未烧坏。这是否有任何解释。

这是指功率 FET 的栅源电阻器是否正确？此电阻器的电阻值取决于 FET 的阈值电压以及栅漏极电容与栅源极电容之间的比率。这个电阻值范围考虑了可能的 FET 阈值和固有电容比、因此整个电阻值范围预计不能与一个特定的 FET 配合使用。

感谢您的耐心等待、请随时提出任何问题！

此致、

广木市

电源管理（参考译文帖）

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